EV集团（EVG，岱美仪器供应商）是面向MEMS，纳米技术和半导体市场的晶圆键合和光刻设备的领仙供应商，今天宣布已收到东京大学的EVG810LT等离子活化订单化合物半导体研究系统。EVG810LT安装在大学的Takagi＆Takenaka实验室，增强了实验室的研究重点，该研究致力于使用绝缘体III-V（III-V-OI）和绝缘体锗开发新颖的MOSFET和电子光子集成电路（EPIC） （GeOI）基板。这些先进的材料衬底旨在超越常规硅半导体和硅光子学的性能，在这些衬底中，III-V类材料（如磷化铟（InP），砷化铟镓（InGaAs）和锗结合到硅晶片上。EVG810LT使用等离子活化晶片表面以进行低温直接晶片键合，并已被其他客户用于绝缘体上硅（SOI）晶片和背面照明CMOS图像传感器的大批量生产。

       高木大学副教授Mitsuru Takenaka博士说：“半导体器件的小型化已达到其物理极限，并且根据摩尔定律的缩小晶体管（缩放比例）不足以满足未来对LSI器件更高性能的需求。”和东京大学竹中实验室。“在摩尔定律结束后，具有将III-V化合物半导体或锗自由堆叠在硅半导体上的3D集成电路有望成为提高LSI性能的突破之一。为了支持我们的努力，我们采用了EV Group的等离子活化技术EVG810LT系统可帮助我们实现更低的温度和高质量的晶圆键合。”

       EV Group Japan KK的代表董事山本博（Hiroshi Yamamoto）在评论今天的宣布时说：“我们为支持东京大学最仙进的LSI器件研究而选择我们的系统非常荣幸。The Takagi＆Takenaka的创新成果预计实验室将解决半导体行业当前面临的基本问题，基于我们公司“发明，创新和实施”的Triple-i理念，EV集团一直与活跃于先进领域的大学和研发机构合作。将继续为高木和竹中实验室提供成功进行前沿研究所需的技术支持。

       物联网（IoT），大数据和人工智能（AI）的出现推动了对功耗更低，性能更高且功能更强大的电子设备的新一波需求。为了满足这一需求，半导体行业正在评估将新材料与超越纯硅基晶片的硅结合起来的好处。这一转变为化合物半导体的未来市场增长以及更有效的制造技术实现最大终端设备性能铺平了道路。例如，金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺（其中通过异质外延生长在基板上沉积II-VI或III-V材料的薄膜）会导致不一致的晶圆形成。这损害了晶片表面的完整性，并最终影响了终端设备的性能。具有等离子活化的直接晶圆键合是一种有前途的解决方案，能够实现不同材料的异质集成并实现高质量的工程衬底。

       EVG将在12月13日至15日在日本东京的东京Bit Sight-东京国际展览中心举行的SEMICON Japan展览会上展示EVG810LT系统等离子活化系统。有兴趣了解有关EVG光刻和晶圆键合解决方案套件更多信息的与会人员将参观公司的5238号展位。

关于东京大学

       东京大学成立于1877年，是日本第一所国立大学。东京大学是一所领仙的研究型大学，基本上提供本科和研究生级别的所有学科的课程，并在整个学术活动中进行研究。该大学旨在为学生提供丰富多样的学术环境，以确保他们既有智力发展机会，又有专业知识和技能的学习机会。

关于EV集团（EVG）

       EV Group（EVG）是制造半导体，微机电系统（MEMS），化合物半导体，功率器件和纳米技术器件的设备和工艺解决方案的领仙供应商。是岱美仪器的主要供应商。主要产品包括晶圆键合，薄晶圆处理，光刻/纳米压印光刻（NIL）和计量设备，以及光刻胶涂布机，清洁剂和检查系统。EV Group成立于1980年，为精致的客户和合作伙伴提供服务并提供支持。