EVG单面/双面掩模对准光刻机介绍：
EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机是一款紧凑型多功能研发系统，可处理零碎片和大200 mm的晶圆。
EVG®610 单面/双面掩模对准光刻机（ 微流控 纳米压印）支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻(NIL)。EVG610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。
应用：
MEMS，RF器件，功率器件，化合物半导体等方面的图形光刻应用。
EVG单面/双面掩模对准光刻机特征
1、晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
2、顶部和底部对准功能
3、高精度对准
4、自动楔形补偿序列
5、电动的和程序控制的曝光间隙
6、支持先进的UV-LED技术
7、小化系统占地面积和设施要求
8、分步流程指引
9、远程技术支持
10、多用户概念(无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同语言)
11、敏捷的处理和转换重新加工
12、台式或独立式带防振花岗岩台面
附加功能：
1.键合对准
2.红外对准
3.纳米压印光刻(NIL)
【技术参数】
1.掩模版-基板-晶圆尺寸
掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸
基片/晶圆尺寸：100mm/150mm/200mm
晶圆厚度：高达10mm
2.对准模式
顶部对准精度：≤ ± 0,5 µm
底部对准精度：≤ ± 2,0 µm
红外对准模式：≤ ± 2,0 µm/取决于基片的材料
3.顶部显微镜
移动范围1：100mm(X轴：32-100mm；Y轴：-50/+30mm；)
移动范围2：150mm(X轴：32-150mm；Y轴：-75/+30mm；)
移动范围1：200mm(X轴：32-200mm；Y轴：-100/+30mm；)
可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度
4.底部显微镜
移动范围1：100mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)
移动范围2：150mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)
移动范围1：200mm(X轴：30-100mm；Y轴：±12mm；)
可选：平坦的物镜可以增加光程；带有环形灯的暗场物镜，可以增加对比度
5.曝光器件
(1)波长范围：
NUV：350 - 450 nm
DUV：低至200 nm (可选)
(2)光源：
汞灯350W , 500W UV LED灯
(3)均匀性：
150mm：≤ 3%
200mm：≤ 4%
(4)滤光片：
汞灯：机械式
UV LED：软件可调
6.曝光模式
接触：硬、软接触，真空
曝光间隙：1 - 1000 µm
线宽精度：1µm
模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
可选：内部，浸入，扇形
7.可选功能
键合对准精度：≤ ± 2,0 µm
纳米压抑光刻(NIL)精度：≤ ± 2,0 µm
纳米压抑光刻(NIL)软印章分辨率：≤ 50 nm图形分辨率
8.设施
真空：< 150 mbar
压缩气体：6 bar
氮气：可选2或者6 bar
排气要求：汞灯需要；LED不需要
9.系统方式
系统：windows
文件分享和软件备份
无限程序储存，参数储存在程序内
支持多语言，含中文
实时远程支持，诊断和排除故障
10.楔形补偿
全自动- 软件控制
11.规格(单面/双面光刻机 微流控加工 掩模对准)
占地面积：0.55m²
高度：1.01m
重量：约250kg
纳米压印分辨率：≤ 40 nm(取决于模板和工艺)
支持工艺：Soft UV-NIL
