硒化铟晶体(百分之99.995) In2Se3
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上海巨纳科技有限公司

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产品简介

硒化铟晶体 In2Se3(Indium Selenide)
晶体尺寸:8-10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

详细介绍

硒化铟晶体 In2Se3(Indium Selenide)
晶体尺寸:8-10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a 2H-In2Se3 (Indium Selenide) single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 8 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal In2Se3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal In2Se3 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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