FPBEN-DH-MCT12-HgCdTe光电探测器_辐射探测器-孚光精仪（中国）有限公司手机版

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这款HgCdTe光电探测器是低温冷却MCT光电二极管和2-12μm碲镉汞二极管,低温冷却碲镉汞对长波红外具有很高的响应性。

HgCdTe光电探测器带有一个2x2mm有源区MCT光电二极管（2-12µm），使用专用的475超低噪声前置放大器模块在光导模式下工作。使用光学斩波输入，该HgCdTe光电探测器产生的信号最好由496 DSP锁定放大器测量。在低温模式下运行提供了最高的灵敏度和低噪声性能。
HgCdTe光电探测器提供了安装法兰与所有单色仪和附件兼容。

HgCdTe光电探测器特点
良好的MWIR-LWIR 性能
光谱范围覆盖2-12μm
响应能力高
超低噪音
Dewar制冷,
8小时的Dewar保持时间
2x2mm有源区域

HgCdTe光电探测器规格参数

材料类型	HgCdTe
有效面积	2x2mm
光谱范围	2-12μm
工作模式	光电导/光敏
Shunt Resistance	100Ω
峰值波长	10μm
视场角	60度
检测能力	5 x 1010 cm.W1/2 .Hz-1/2
工作温度范围	-20°C ~ +60°C

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