对更强大、更快速的电子设备（智能手机、计算机、平板电脑、显示器等）的需求不断增长，这推动了集成电路（IC）芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸，紫外光刻图案化步骤的数量已经增加，随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。

在半导体加工过程中，需要使用光刻胶来对晶圆进行刻蚀。一旦刻蚀形成，就必须去除光刻胶以进行进一步的加工，但通常 会留下光刻胶残留物和其他有机污染物。在晶圆、掩模、垫片和半导体组件的表面上可以发现许多不同类型的有机污染物。 典型的例子包括光刻胶残留物、外来有机颗粒和液体、灰尘以及来自材料的纤维。另一个常见的有机污染源是人体头发、皮 简介 对更强大、更快速的电子设备（智能手机、计算机、平板电脑、显示器等）的需求不断增长，这推动了集成电路（IC）芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸，紫外光刻图案化步骤的数量已经增加，随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。 肤碎屑和来自皮肤的油脂物质。

因此，随着半导体图案尺寸的缩小和集成电路（IC）制造量的增加，晶圆表面上的光刻胶残留物和有机污染物问题变得越来 越严重。IC的密度在增加，因此在生产过程中保持清洁表面至关重要。光学显微镜通常用于晶圆检查，并且在生产过程中高 效地可视化少量残留污染物方面，相比于明场或暗场等其他照明方法，荧光显微镜具有优势[4] 在半导体加工过程中，需要使用光刻胶来对晶圆进行刻蚀。一旦刻蚀形成，就必须去除光刻胶以进行进一步的加工，但通常 会留下光刻胶残留物和其他有机污染物。在晶圆、掩模、垫片和半导体组件的表面上可以发现许多不同类型的有机污染物。 典型的例子包括光刻胶残留物、外来有机颗粒和液体、灰尘以及来自材料的纤维。另一个常见的有机污染源是人体头发、皮 简介 对更强大、更快速的电子设备（智能手机、计算机、平板电脑、显示器等）的需求不断增长，这推动了集成电路（IC）芯片 和半导体组件的图案尺寸缩小到10纳米以下[1-3]。为了实现更小的纳米级尺寸，紫外光刻图案化步骤的数量已经增加，随 之而来的是刻蚀过程中的缺陷和有机污染的可能性增加[2]。这种残留污染可能对工艺控制、产量以及电子组件的性能和可 靠性产生负面影响。 肤碎屑和来自皮肤的油脂物质。 。