用途：

　　适用于工矿企业、科研单位、大专院校实验室等。在各种气氛下作化学分析、物理测定、已广泛应用于粉末冶金、陶瓷金属化、荧光粉、电池材料、电子陶瓷、化工原料、纳米材料等产品的研究及小批量生产。

1、1300℃、1400℃是硅碳棒加热，设置在两侧或者三侧（根据炉膛大小），1600℃、1700℃是硅钼棒设置在炉膛内的两侧，特殊的绝热设计，炉膛可以更换。

2、控制方式：可控硅控制， PID参数自整定功能，手动/自动无干扰切换功能，超温报警功能，具有温度补偿和温度校正功能， 30段可编程控制（1600℃、1700℃50段可编程控制）。

3、显示精度：±1℃,，冲温直小于±3℃，升温速度,10-30℃/分钟自由设定

4、控温仪表具有密码功能，设定参数密码控制。多安全防护设计，安全性能好，使用寿命长。

5、普通真空炉真空度为-0.098MPa，可选择高真空配置，高真空炉体结构，高真空机组，真空度6.67*10-1Pa.

6、气路系统配有流量计、减压阀、截止阀，设备采用炉壳整体密封，炉口用硅橡胶密封并加水冷。 

7、外形设计，满门结构，美观大方。