产品名称：

碳化硅(SiC)晶体基片

技术参数：

产品规格：

掺杂类型：6H N型 <0001> 表示专门掺N的，掺杂浓度是10E18-10E19；4H N型；半绝缘；
常规尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

抛光情况：单抛或双抛；

表面粗糙度：Ra<10A

常规晶向 ：<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)

标准包装：

1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装

薄膜基片

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