霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。

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该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和度。

仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或固体材料均可。

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产品概述：

本仪器系统由：电磁铁、高精度电源、高斯计、高精度恒流源、高精度电压表、 霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的 JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切矩阵开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

技术指标：

* 磁 场： 间距 10mm 情况下 10700 高斯， 间距 20mm 情况下 7000 高斯。

*样品电流：50nA~50mA（*小可调节电流为 0.1nA）

*测量电压：0.1uV~30V

* 提供各类测试标准材料，各级别霍尔器件（灵敏度与精度不同）

**小分辨率： 1GS

*磁场范围：0-±1T

*配合高斯计或数采板可与计算机通讯

* I-V 曲线及 I-R 曲线测量等 ▲ 电阻率范围：10-7~1012 Ohm*cm

*电阻范围：10 m Ohms~ 6MOhms

*载流子浓度：103~1023cm-3

*迁移率：0.1~108cm2/volt*sec

*测试全自动化，一键处理

*专业的欧姆接触组合套件

自动化霍尔效应测试系统组成：

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高精度度磁铁电源:

※ 双极性恒流输出

① 电源输出电流可在正负额定*大电流之间连续变化

② 电流可以平滑过零点，非开关换向

③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载）

④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定*大输出电流）

※ 电流稳定度高，纹波低

①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型） ② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA） ③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA

④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量）

⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量）

⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA

霍尔样品架:

用于固定，焊接霍尔器件，四探针压点使接触更方便牢。高高精度高斯计：分辨力：0.01Gs，量程：0-±3T，精度：0.1% ，标准 232 数字接口与控制端口。

电压电流数采仪：

恒流源量程：±50nA-±50mA，分辨力 0.1nA 在量程范围内连续可调，高 精 度 电 压 数 采 仪 范 围 0. 1uV-30V，精度：.01%内置测试矩阵转换卡，

电磁铁：

极头直径 50mm.NS间距10mm时*大磁场1.07T，间距 20mm 时*大磁场 0.7T，可实现在*大磁场范围内连续，变化（可调）自重 30 公斤。

欧姆接触套件 ：

专业做欧姆接触用铟片以及相，应焊接套装，材料标准样片，硅片，砷化镓 2 阻值：300-500 欧姆。

测试系统软件：

定位采集，数字温度显示， I-V，曲线及 I-R 曲线测量，得到体载，流子浓度等各类参数曲线图形。

可测试材料: Ø

半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料， 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料， 高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等

样品测试：

设置控制电流、磁场和霍尔片厚度，点击“开始测试”按钮，软件将完成一键测试过程，直至计算出所有霍尔参数。每次测试完后，可选择保存该计算结果值，然后点击“清除显示”按钮，以进入下一次测试。

若保持磁场大小不变，改变控制电流的大小，可通过画图操作观察 Is 与 VH的关系；若保持控制电流大小不变，改变磁场的大小，可通过画图观察 B 与 VH 的关系。