麦威MOS-620CH/MOS640CH/650CH模拟示波器
技术参数 |
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| ■ 水平系统 ■ 扫描时间: 0.2μSec-0.5Sec/DIV,按1-2-5顺序分20档 ■ 精度: ±3% ■ 微调: ≤1/2.5面板指示刻度 ■ 扫描扩展: 10倍 ■ ×10MAG扫描时间精度:±5%(20nSec-50nSec未校正) ■ 线性: ±3%,×10MAG:±5%(20ns-50ns未校正) ■ 由 ×10MAG引起的位移:在CRT中心小于2DIV
■ X-Y模式 ■ 灵敏度:同垂直轴 ■ 频宽: DC-500KHz ■ X-Y相位差:小于或等于3°(DC-50KHz之间)
■ Z轴 ■ 灵敏度: 5Vp-p ■ 频宽: DC-2MHz ■ 输入阻抗:约 47KΩ ■ 最大输入电压: 30V (DC+AC峰值,AC频率小于或等于1KHz) ■ 校正信号 ■ 波形:方波 ■ 频率:约 1KHz ■ 占空比:小于 48 : 52 ■ 输出电压: 2Vp-p ± 2% ■ 输出阻抗:约 1K Ω
■ CRT 示波管 ■ 型号: 6 英吋,矩形,内部刻度 ■ 磷光粉规格: P31 ■ 加速极电压:约 2Kv(20MHz) ■ 有效屏幕面积: 8 × 10DIV [1DIV=10mm(0.39in)] ■ 刻度:内部 ■ 轨迹旋转:面板可调
■ 垂直系统 ■ 灵敏度: 5Mv~5v/DIV. 按 1-2-5 顺序分 10 档 ■ 精度: ≤ 3% (×5MAG: ≤5%) ■ 微调灵敏度 : 1/2.5或小于面板指示刻度 ■ 频宽: ■ DC-20MHz (×5MAG:DC-7MHz) ■ DC-40MHz (×5MAG:DC-7MHz) ■ 交流耦合:小于 10Hz(对于100KHz 8DIV 频响-3Db) ■ 上升时间:约 17.5Ns / 约8.75ns ■ 输入阻抗:约 1MΩ/25Pf ■ 方波特性:前冲: ≤5%(在10mV/DIV范围内)其它失真:在该值上加5% ■ DC平衡移动:5Mv-5v/DIV:±0.5DIV ■ 线形:当波形在格子中心垂直移动时( 2DIV)幅度变化﹤±0.1DIV ■ 垂直模式:CH1:通道1 CH2:通道2 ■ DUAL:通道1与通道2同时显示,任何扫描速度可选择交替 ■ 或断续方式 ■ ADD:通道1与通道2做代数相加 ■ 断续重复频率:约 250KHz ■ 输入耦合: AC GND DC ■ 最大输入电压: ■ 300V 峰峰值( AC: 频率 ≤1KHz) ■ 当探头设置在 1:1时最大有效读出值为40Vpp(14Vrms正弦波形) ■ 当探头设置在 10:1时最大有效读出值为400Vpp(140Vrms正弦波形) ■ 共模抑制比:在 50KHz正弦波时>50:1(设定CH1T CH2的灵敏度在相同的情况下) ■ 两通道之间的绝缘:> 1000:1 50KHz(在5Mv/DIV范围) > 30:1 20MHz >30:1 40MHz ■ CH1信号输出:最小20mV/DIV(50Ω输出频宽50Hz-5MHz) ■ CH2 INV BAL:平衡点变化率≤1DIV(对应于刻度中心) ■ 触发 ■ 触发信号源: CH1,CH2,LINE.EXT(在DUAL或ADD模式时,CH1 CH2仅可选用一个,在ALT模式时,如果TRIG.ALT的开关按下,可以用作两个不同信号的交替触发) ■ 耦合: AC:20Hz-20MHz / AC:20Hz-40MHz ■ 极性: +/- ■ 灵敏度: 20Hz-2MHz:0.5DIV TRIG-ALT:2DIV EXT:200Mv ■ 2MHz-20MHz:1.5DIV / 2MHz-40MHz:1.5DIV ■ TRIG-ALT:3DIV EXT:800Mv ■ TV:同步脉冲>1DIV(EXT:1V) ■ 触发模式: ■ AUTO:自动 当没有触发信号输入时,扫描工作在自由模式下(适用于频率大于25Hz的重复信号) ■ NORM:常态 当没有触发信号时,踪迹处在待命状态并不显示 ■ 电视场:当想要观察一场的电视信号时 ■ 电视行:当想要观察一行的电视信号时 (仅当同步信号为负脉冲时,方可与电视场和电视行同) ■ 外触发模式信号输入阻抗:约 1MΩ/25pF ■ 最大输入电压: 300V(DC+AC峰值)AC频率不大于1KHz |
麦威MOS-620CH/MOS640CH/650CH模拟示波器
MOS-600CH 经济型示波器
功能特点:
双通道20MHz/40MHz/50MHz
高亮度、内刻度东芝示波管
密闭式衰减开关持久耐用
扫描扩展×10功能
TV同步、X-Y方式
ALT触发功能、可测量二路不相关信号
产品彩页技术资料
型号 | 带宽 | 上升时间 | 垂直灵敏度 | zui高灵敏度 | 扫描时间 |
MOS-620CH | 20MHz | 17.5nS | 5V/DIV-5mV/DIV | 5mV/DIV | 0.2uS~0.5S/DIV |
MOS-640CH | 40MHz | 8.75nS | 5V/DIV-5mV/DIV | 5mV/DIV | 0.2uS~0.5S/DIV |
MOS-650CH | 50MHz | 7nS | 5V/DIV-5mV/DIV | 5mV/DIV | 0.2uS~0.5S/DIV |