专业仪器设备与测试方案供应商——上海坚融实业有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 坚友（上海）测量仪器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，为原安捷伦Agilent技术工程师-坚JET和吉时利KEITHLEY应用工程师-融YOO于2011年共同创办的以技术支持为特色的代理贸易公司，志在破旧立新！*进口仪器设备大多厂家仅在国内设销售点，技术支持薄弱或者没有，而代理经销商也只专业做商务销售，不专业做售前仪器设备选型配置/测试方案系统搭建，不专业做售后操作使用培训/维修校准保养的空白。我们的技术销售工程师均为本科以上学历，且均有10年以上测试行业经验，以我们*进*的经营理念，专业为祖国用户提供仪器设备、测试方案、技术培训、维修服务，为上海华东地区一家以技术为导向的仪器设备综合服务商。

美国吉时利KEITHLEY 4200A-SCS半导体参数分析仪应用领域

使用4200A-SCS参数分析仪进行范德堡和霍尔电压测量 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS和范德堡方法测量半导体材料的电阻系数。 

使用4200A-SCS参数分析仪进行电荷泵测量 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS及选配的4225-PMU超快速I-V模块(PMU)或4220-PGU脉冲发生器单元(PGU)进行电荷泵测量。 

使用吉时利Model 4200-SCS参数分析仪进行晶圆级可靠性测试

使用4200A-SCS参数分析仪及斜率方法进行准静态C-V测量 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS和斜率方法实现和优化准静态C-V测量。 

电阻系数测量及材料特性分析技术 - NEW

4200A-SCS 电阻系数测量及材料特性分析技术本材料特性分析应用指南提供了各种技术小贴士，根据材料类型、形状和厚度及电阻幅度，为电阻系数测量选择四点共线探头或范德堡方法。 

使用4200A-SCS参数分析仪分析MOS电容器的C-V特点

本应用指南讨论了怎样使用配备4210-CVU集成C-V选项的Keithley 4200A-SCS参数分析仪对MOS电容器进行C-V测量，另外还介绍了MOS管基本原理，对MOS电容器执行C-V测量，提取常用C-V参数，以及各种测量技术。 

使用4200A-SCS参数分析仪在高阻抗器件上执行超低频率电压-电压测量 - NEW

本应用指南介绍了VLF C-V技术，阐述了怎样连接被测器件(DUT)，说明了怎样使用提供的软件，描述了怎样使用Keithley 4200A-SCS参数分析仪优化VLF C-V测量。 

测量通道有效移动性的超快速单脉冲(UFSP)技术 - NEW

本应用指南介绍了准确评估移动性的一种新型超快速单脉冲技术(UFSP) [4, 5]，同时介绍了怎样连接器件，怎样使用4200A-SCS参数分析仪中的Clarius软件。 

使用4200A-SCS参数分析仪优化低电流测量 -NEW

本应用指南介绍了吉时利为使用4200A-SCS优化低电流测量提供的著名的方法和推荐设备。 

使用4200A-CVIV多开关和4200A-SCS参数分析仪在C-V测量和I-V测量之间切换 - NEW

本应用指南介绍了怎样在同一器件上简便地进行I-V测量和C-V测量，而无需改变电缆，避免引入错误或损坏器件。 

使用Model 4225-RPM远程放大器/开关，在DC I-V、C-V和脉冲式I-V测量之间自动切换 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4225-RPM在SMU、CVU和PMU之间切换，在单个器件上进行DC I-V、C-V和脉冲式I-V测量。特别是，它介绍了硬件连接及怎样使用系统软件Clarius配置和执行测试。 

使用4200-CVU-PWR C-V功率分析软件包及4200A-SCS参数分析仪执行高电压和高电流C-V测量 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用Keithley 4200A-SCS、4210-CVU和4200-CVU-PWR C-V功率分析软件包实现和优化高C-V测试。 

半导体特性分析方法和技术 - NEW

4200A-SCS 半导体特性分析方法和技术应用指南本半导体特性分析应用指南提供了各种小贴士和技术，让您了解DC半导体器件性能，帮助您应对可能阻碍测量及引入错误的各种挑战。 

元器件和半导体器件的DC I-V测试

本DC I-V测试应用电子指南包含着大量的应用指南，介绍了使用吉时利Model 4200-SCS参数分析仪进行DC IV-测试的方法和技巧。Model 4200-SCS提供了各种I-V测量，包括p*泄漏电流测量和µΩ级电阻测量。 应用指南 09 Nov 2018

使用4200A-SCS参数分析仪分析光伏材料和太阳能电池的电气特点 - NEW

DC和脉冲式电流-电压(I‑V)、电容-电压(C‑V)、电容-频率(C-f)、驱动电平电容曲线(DLCP)、四探头电阻系列(ρ,σ)和霍尔电压(VH)测量本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS参数分析仪在光伏电池上进行各种电气测量，包括DC和脉冲式电流-电压(I‑V)、电容-电压(C‑V)、电容-频率(C-f)、驱动电平电容曲线(DLCP)、四探头电阻系列(ρ,σ)和霍尔电压(VH)测量。 

使用4200A-SCS参数分析仪和四点共线探头测量半导体材料的电阻系数 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS及四点共线探头对半导体材料进行电阻系数测量。 

Touch, Test, Invent，采用下一代电流和电压源测量仪器

吉时利为电化学测试方法和应用提供的仪器

本应用指南讨论了如何采用吉时利仪器进行电化学科学研究。 

非易失性内存的脉冲I-V特性分析技术 - NEW

本应用指南简要回顾了非易失性内存(NVM)的发展历史，概括介绍了分析NVM材料和器件电气特点所需的测试参数，阐述了Model 4225-PMU超快速I-V模块及Model 4225-RPM远程放大器/开关的功能（这是为用于吉时利Model 4200-SCS半导体特性分析系统设计的两种仪器选项）。 

使用4200A-SCS参数分析仪测量碳纳米管晶体管(CNT FETs)的电气特点 - NEW

本应用指南介绍了怎样使用4200A-SCS参数分析仪优化CNT FET上的DC、脉冲式I-V和C-V测量。它详细介绍了在测试碳纳米管晶体管时探头布线和连接、保护、屏蔽、降噪技术及其他重要测量考虑因素。 

*进半导体器件与材料特性分析系 统 – 4200-SCS 的技术进展

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统分析光伏材料和太阳能电池的电气特点

寻找当今解决方案，迎接未来纳米特性分析挑战

吉时利正帮助推动越来越多的纳米科技应用向前发展。我们为调查新材料和新器件属性开发的解决方案是为直观操作而设计的，因此您可以迅速简便地获得所需结果。 手册 04 Feb 2017

吉时利脉冲解决方案

本指南旨在帮助您确定包括适合您应用要求的脉冲源的吉时利解决方案。

分析RF功率晶体管的电气特点

本应用指南概括介绍了通信行业中较常用的RF晶体管的DC特性分析。尽管新型放大器设计和材料发展迅速，但必需指出的是，测试仪器变化并不大，而器件的特点却发生了明显变化。

利用4200-SCS进行四探头电阻与霍尔电压测试

评估MOSFET器件热载波感应的劣化

本应用指南介绍了怎样使用吉时利Model 4200-SCS半导体特性分析系统，利用所需的关键功能测量热载波感应的劣化。

评估氧化物可靠性

本应用指南介绍了怎样使用吉时利Model 4200-SCS半导体特性分析系统执行氧化物可靠性测试。

Model 4225-PMU超快速I-V模块的超快速I-V应用

4225-PMU是为4200-SCS半导体特性分析系统提供的多个模块之一。根据应用要求，系统可以配置成包括精密DC源测量单元系统、DC预放、多频率C-V表和脉冲发生器，使得4200-SCS成为完整的全内置特性分析工具。 应用指南 08 Aug 2016

测量通道有效移动性的超快速单脉冲技术

本应用指南介绍了准确评估移动性的一种新型超快速单脉冲技术，包括技术原理、怎样连接器件、以及怎样使用Model 4200-SCS中提供的软件

半导体元器件C-V测试 - 应用指南

本C-V测试应用电子指南包含大量的应用指南，介绍了使用吉时利Model 4200-SCS参数分析仪的C-V测试方法和技术。

元器件和半导体器件的脉冲式I-V测试 - 应用指南

本脉冲式I-V测试应用电子指南包括大量的应用指南，介绍了使用Model 4200-SCS参数分析仪进行脉冲式I-V测试的方法和技术。

ACS集成测试系统，实现基于实验室的自动化操作

产品开发周期和测试成本压力不断提高，意味着测试工程师必须用更少的投入做更多的工作。通过采用吉时利经过验证的仪器和测量功能，ACS综合测试系统添补了基于交互式实验室的工具与高吞吐量生产测试工具之间的重要空白。 应用指南 08 Aug 2016

探测集成电路触点级晶体管

Model 4200-SCS半导体特性分析系统

使用Mode 4200-SCS半导体特性分析系统在高阻抗器件上执行超低频电容-电压测量

使用晶圆图参数选项及Cascade Nucleus探头软件和Model 4200-SCS

使用低噪声Model 4200-SCS进行超低电流测量

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统分析MOS电容器的C-V特点

使用Model 4200-CVU-PWR C-V功率分析软件包及Model 4200-SCS半导体特性分析系统进行高电压和高电流C-V测量

适用于Model 4200-SCS：分析NVM特性，测量VLF C-V，同时进行更多的脉冲式或超快速I-V测量

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统进行太阳能/光伏电池I-V和C-V测量

使用吉时利Model 4200-SCS监测MOSFET器件的通道热载波(CHC)劣化

使用Model 4200-SCS和Zyvex S100纳米操纵装置进行纳米线和纳米管I-V测量

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统优化低电流测量

使用Model 4200分析栅极介电电容-电压特性

使用4200-CVU电容-电压单元测量电感

改善Model 4200-SCS的测试速度和整体测试时间

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统和Series 3400脉冲/码型发生器进行电荷泵测量

使用Model 4200-SCS半导体特性分析系统执行电荷泵测量

修改吉时利互锁电缆236-ILC-3，用于Cascade 12000系列半自动探头

利用4200-SCS型参数分析仪，对碳纳米管晶体管(CNT FET)进行电气特性分析

亲眼见证创新！ 4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成 的参数分析仪，可以同步查看电流电压(I-V)、电容电压(C-V) 和超快速脉冲式I-V 特性。 4200A-SCS 加快了半导体、材料和工艺开发速度。

4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的软件提供了清楚的、不折不 扣的测量和分析功能。凭借嵌入式测量专业知识和数百项随时 可以投入使用的应用测试，Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究过程，快速而又满怀信心。

4200A-SCS 参数分析仪可以根据不同用户需求进行灵活配 置，不管是现在还是未来，都可以随时对系统进行升级。通过 4200A-SCS 参数分析仪，通往发现之路现在变得异常简便。

美国吉时利KEITHLEY 4200A-SCS半导体参数分析仪主要性能指标

I-V 源测量单元(SMU)

± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块

100 fA测量分辨率

选配前端放大器提供了 10 aA测量分辨率

10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量

四象限操作

2 线或 4 线连接

C-V 多频率电容单元(CVU)

AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)

1 kHz - 10 MHz 频率范围

± 30 V (60 V差分)内置DC偏置源，可以扩展到± 210 V(420 V 差分)

选配 CVIV 多通道开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式I-V 超快速脉冲测量单元(PMU)

两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道

200 MSa/s，5 ns 采样率

±40 V (80 V p-p)，±800 mA

瞬态波形捕获模式

任意波形发生器 Segment ARB® 模式，支持多电平脉冲波形，10 ns 可编程分辨率

高压脉冲发生器单元(PGU)

两个高速脉冲电压源通道

±40 V (80 V p-p)，± 800 mA

任意波形发生器 Segment ARB®模式，支持多电平脉冲波形，10 ns 可编程分辨率I-V/C-V 多通道开关模块 (CVIV)

在 I-V测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或抬起探针

把 C-V测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器/ 开关模块(RPM)

在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换

把 4225-PMU的电流灵敏度扩展到数十皮安

降低电缆电容效应

为材料、半导体器件和工艺开发提供优秀的参数分析仪

使用强大的Clarius 软件，可以更加快速的完成I-V, C-V 和脉冲I-V 测试，结果清晰明了

直流电流-电压

(I-V) 范围

10 aA - 1A

0.2 µV - 210 V

电容-电压

(C-V) 范围

1 kHz - 10 MHz

± 30V 直流偏置

脉冲 I-V

范围

±40 V (80 V p-p)，±800 mA

200 MSa/s，5 ns 采样率

大胆发现从未如此容易。 4200A-SCS 参数分析仪可将检定和测试设置的复杂程度降低高达 50%，提供清晰且不折不扣的测量和分析功能。 另外，嵌入式测量专业知识可提供测试指南并让您对结果充满信心。

特点

内置测量视频采用英语、中文、日语和韩语

使用数百个用户可修改应用测试开始您的测试

自动实时参数提取、数据绘图、算数函数

测量、 切换、 重复。

4200A-CVIV 多通道切换模块自动在 I-V 和 C-V 测量之间切换，无需重新布线或抬起探头端部。 与竞争产品不同，四通道 4200A-CVIV 显示器提供本地可视查看，可快速完成测试设置，并在出现意想不到的结果时轻松排除故障。

无需重新布线即可将 C-V 测量移动到任何设备终端

用户可配置低电流功能

个性化输出通道名称

查看实时测试状态

检定、 自定义、 大化。

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简单地说，4200A-SCS 可以*自定义且全面升级，您可以对半导体设备、新材料、有源/无源组件、晶片级可靠性、故障分析、电化学或几乎任何类型的样本执行电气检定和评估。

NBTI/PBTI 测试

随机电报噪声

非易失内存设备

稳压器应用测试

带分析探测器和低温控制器的集成解决方案。

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4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低温控制器。

“点击”测试定序

“手动”探测器模式测试探测器功能

假探测器模式无需移除命令即可实现调试

降低成本并保护您的投资

产品技术资料 型号 说明

查看规格书 4200A-SCS-PK1 

高分辨率 IV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率

对于两端和三端设备，MOSFET、CMOS 检定套件 4200A-SCS-PK1 包括：

4200A-SCS 参数分析仪

(2) 4200-SMU 模块

(1) 4200-PA 前置放大器

(1) 8101-PIV 测试夹具与采样设备

4200A-SCS-PK2 

高分辨率 IV 和 CV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz

对于高 K 电解质，深亚微米 CMOS 检定套件 4200A-SCS-PK2 包括：

4200A-SCS 参数分析仪

(2) 4200-SMU 模块

(1) 4200-PA 前置放大器

(1) 4210-CVU 电容-电压模块

(1) 8101-PIV 测试夹具与采样设备

4200A-SCS-PK3 

高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz

对于功率设备、高 K 电解质，深亚微米 CMOS 设备检定套件 4200A-SCS-PK3 包括：

4200A-SCS 参数分析仪

(2) 4200-SMU 模块

(2) 4210-SMU

(2) 4200-PA 前置放大器

(1) 4210-CVU 电容-电压模块

(1) 8101-PIV 测试夹具与采样设备

4200-BTI-A 

超快 NBTI/PBTI 套件 用于使用* CMOS 技术套件进行复杂的 NBTI 和 PBTI 测量 4200-BTI-A 包括：

(1) 4225-PMU 超快 I-V 模块

(2) 4225-RPM 远程前置放大器/开关模块

自动化检定套件 (ACS) 软件

超快 BTI 测试项目模块

电缆

半导体可靠性

在执行复杂的可靠性测试时，4200A-SCS 可以帮您处理复杂的编码工作。 内含热载波注入劣化 (HCI) 等项目，使您能够快速开始设备分析。

评估 MOSFET 设备的热载波感应劣化

特点

只需一组测试，即可满足您的直流 I-V、C-V 和脉冲测量需求

支持多种探头站和外部仪器

循环系统易于使用，允许在无需编码的情况下重复测试

提供适合高阻抗应用的 C-V 测量功能

采用 Keithley 的自定义极低频 C-V 技术分析高电阻样本的电容。 该技术可通过仅使用源测量单元 (SMU) 仪器实现应用，同时可与 4210-CVU 结合使用，执行更高频率测量。

4200A-SCS 参数分析仪可在高阻抗设备上执行极低频电容-电压测量

简化 MOSFET/MOSCAP 设备检定的提示和技术

0.01 ~ 10 Hz 频率范围，1 pF ~ 10 nF 灵敏度

3½ 位典型分辨率，小典型值 10 fF

非易失内存

通过全面脉冲 I-V 检定在测试中利用新技术。 4200A-SCS 为 NVRAM 技术提供支持和即用型测试，从浮动门电路闪存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 电流和电压双源和测量功能同时支持瞬态和 I-V 域检定。

非易失内存技术脉冲 I-V 检定

VCSEL 测试

4200A-SCS 中的多个并行源测量单元 (SMU) 仪器可简化激光二极管测试。 仅使用一台机器连接即可生成 LIV（光强-电流-电压）曲线。 高级探头站和开关支持使您能够使用相同的仪器对单个二极管或整个阵列进行晶圆生产测试。 SMU 可配置为高达 21 W 容量，适用于多种连续波 (CW) VCSEL 应用。

纳米级设备检定

4200A-SCS 的集成仪器功能可简化碳纳米管等纳米级电子器件开发方面的测量要求。 从预配置测试项目开始着手，逐步扩大您的研究工作范围。 SMU 的脉冲源模式可帮助缓解过热问题，数秒内即可完成与低电压 C-V 和超快速脉冲直流测量的组合。

碳纳米管晶体管 (CNT FET) 的电气检定

材料电阻率

使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通过四点同轴探头或范德堡法轻松测量电阻率。内含测试可自动重复执行范德堡计算，节省您宝贵的研究时间。10aA 的大电流分辨率和大于 10­­­­16 欧姆的输入阻抗可提供更准确和精准的结果。

4200A-SCS 参数分析仪和四点同轴探头可用于执行半导体材料电阻率测量

4200A-SCS 参数分析仪可用于执行范德堡和霍尔电压测量

MOSFET 检定

4200A-SCS 可容纳所有必要的仪器，用于通过组件或晶圆测试执行全面的 MOS 设备检定。 内含测试和项目可以解决 MOSCap 的氧化物厚度、门限电压、掺杂浓度、移动离子浓度等问题。 只需触摸一个仪器盒中的按钮，即可运行所有这些测试。

4200A-SCS 参数分析仪可用于执行 MOS 电容 C‑V 检定

模块 说明

4200-BTI-A 超快速 BTI 包

4200-PA 远程预放大器模块

4200-SMU 中功率源测量单位

4200A-CVIV I-V/C-V 多开关模块

4210-CVU 电容-电压单位

4210-SMU 大功率源测量单元

4220-PGU 高电压脉冲发生器单元

4225-PMU 超快速脉冲测量单位

4225-RPM 远程预放大器/开关模块

4200-SMU-R 可现场更换的 MPSMU

4210-SMU-R 可现场更换的 HPSMU