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高频光电导少子寿命测试仪(学校用)型号:KDKLT-1 | 货号:ZH8202 |
产品简介: τ:10~6000μs,ρ>3Ω·cm ,配数字示波器;用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块体形严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质的重要检测项目。 设备组成 1.光脉冲发生装置: 重复频率>25次/s 脉 宽>60μs 光脉冲关断时间<1μs 红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶) 脉冲电流:5A~20A 如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源 2.高频源: 频 率:30MHz低输出阻抗 输出功率>1W 放大器和检波器: 频率响应:2Hz~2MHz 3.配用示波器: 配用示波器:频带宽度不低于10MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调。 测量范围: 可测硅单晶的电阻率范围:ρ≥0.1Ω·㎝(欧姆·厘米) 寿命值的测量范围:5~6000μs(微秒) |