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NES8100系列高温反偏老化测试系统产品简介：
是一款适用于各种封装形式（包括SMD表面贴装）微波器件的高温反偏老化测试系统，系统满足双电源 型GaN类、微波MOS管等半导体分立器件的高温反偏/栅偏试验（HTRB/HTGB）和高温漏电流测试（HTIR）。NES8100系列采用高 品质的GWS的PH-201型号高温箱，最高长期稳定工作温度为175℃；具备测试通道多的特点，单系统16CH支持单管芯器件640 工位测试；支持电压200V单偏置或双偏置的高温反偏试验(HTRB)和老炼筛选。NES8100系列为半导体器件高温反偏测试定制开 发专用软件，集成自动调节加电模式、在线调节加电模式、加载时序控制、自动保护器件、数据实时监控等多种功能。
NES8100系列高温反偏老化测试系统主要特点：
支持高温反偏/栅偏试验（HTRB/HTGB）和高温漏电流测试（HTIR）
GWS单高温箱结构，长期稳定工作温度为175℃
双一级电源供电，Vd为200V；Vg为±15.0V
NGI品牌高精度测试电源，高精度、低纹波
Vg电源单机四通道，高集成度
Vg采用UPS供电的二级电源设计，软硬件时序控制
单系统16CH支持单管芯器件640工位测试
自动调节、在线调试多种加电模式，加载时序控制
数据实时监控、全程记录，测试数据快速溯源
单工位Vd均加继电器自动保护，器件测试更安全
规格参数表：
| 型号 | NES8100-16 |
| 适用标准/条款 | MIL-STD-750D、MIL-M-19500、GJB128A、AEC-101 |
| 尺寸 | 1450mm(宽)×1430mm（深）×1900mm（高） |
| 重量 | 1000kg |
| 供电 | AC 220V±10%，50Hz |
| 功率 | ≤12kW |
| 高温试验箱（PH-201） | |
| 试验腔尺寸 | 600*600*600(mm) |
| 风道设计 | 水平横向循环风道设计 |
| 长期最高试验温度 | 150℃(老化板配件最高耐温150℃) |
| 温度均匀性 | 150℃±3℃（空载），试验温度波动度：±1℃ |
| 温度显示及控制精度 | 1℃ |
| 测试电源（NGI） | |
| Vd电源数量 | 4台 |
| Vd电压范围 | 0~240V |
| Vd电流范围 | 0~30A |
| Vd功率范围 | 0~1200W |
| Vg电源数量 | 2台（单机四通道） |
| Vg电压范围 | 0~60V |
| Vg电流范围 | 0~15A |
| Vg功率范围 | 0~360W |
| 测试容量 | |
| 独立试验区数量 | 4个区(一组测试电源对应一个试验区) |
| 测试通道数 | 16CH |
| 单板工位数/总容量 | 40工位/640工位 |
| 驱动检测板 | |
| 数量 | 16块 |
| Vd电压检测 | 0V～200V；分辨率：0.1V；精度： 1％+0.1V |
| Vg电压检测 | -15.00V～15.00V；分辨率：0.01V；精度： 1％+0.01V |
| Id漏电流检测 | 0.01mA～50mA；分辨率：0.01mA；精度：2％+30μA |
| Ig漏电流检测 | 0.01mA～50mA；分辨率：0.01mA；精度：2％+30μA |
| 老化板 | |
| 基板材质 | 标配高Tg基板（可定制） |
| 耐温范围 | 耐温150℃（可定制） |
| 老化板尺寸 | 290mm*600mm（可定制） |
