1. 光刻胶的去除：
除微波等离子去胶机(兼容SU-8及PI干法去胶)微波等离子清洗相比其他技术形式的等离子清洗方式，有着一致性高，对产品无害，清洗*的优点。在光刻胶的去除应用中，微波等离子清洗可以相当容易完成，而且完成效果很好。
2. SU-8的去除/ 牺牲层的去除：
Alpha Plasma Asia微波等离子清洗设备可以轻松完成对SU-8光刻胶的安全清除。有研究所实验室以及生产应用的大量案例证明微波等离子清除SU-8和牺牲层是非常成功的。微波等离子去胶机(兼容SU-8及PI干法去胶)
3.高分子聚合物的去除：
只需要通过Alpha Plasma Asia微波等离子清洗设备的简单处理，就能通过微波产生的自由基将高分子聚合物*清除干净，包括在很深且狭窄尖锐的沟槽里的聚合物。达到其他清理方式很难完成的效果。
4.等离子去除残胶/去浮渣/打底膜：
我们都知道一个物理常识，如果孔洞转角尖锐，金属液体是很难流进去的。那是因为尖锐的转角增加了它表面的张力，从而影响了金属液体流动。而等离子可以将很深洞中或其他很深地方将光刻胶的残留物去除掉。
等离子清洗工艺研究：
在微组装中，等离子清洗是一个非常重要的环节，它直接影响到所组装功能模块的质量，等离子清洗工艺在微组装工艺中主要应用在以下两个方面。
①点导电胶前：基板上的污染物会导致基板浸润性差，点胶后不利于胶液平铺，胶液呈圆球状。使用等离子清洗可以使基板表面浸润性大大提高，有利于导电胶平铺及芯片粘贴，提高芯片粘接强度。
②引线键合前：芯片粘贴到基板上后，经过高温固化，其上存在的污染物可能包含有微颗粒及氧化物等，这些污染物使引线与芯片或基板么间枯附性差，造成键合强度不够。在引线键合前进行等离子清洗，会显著提高其表面活性，从而提高引线键合强度。
等离子清洗工艺试验：
微组装中等离子清洗对象主要有芯片键合区、基板语盘、引线框架、陶瓷基片等。本试验选用基板进行清洗，基板焊盘表面诞银、已氧化，采用微波等离子清洗机对基板进斤清洗试验，选用氮氢混合气体作为清洗工艺气体，在清洗过程中氢等离子体能够有效地去除基板焊盘上的氧化物。通过试验，有效地控制清洗时的压力、功率、时间及气体流量等工艺参数，能够获得良好的清洗效果。
