德国巴鲁夫BALLUFF光电传感器BTL6-A110- M0500-A1-S115上海森层优惠上新
BALLUFF微脉冲位移传感器BTL6-A110-M0200-A1-S115
订货代码: BTL0029
BTL6-A110-M0200-A1-S115
【关键特征】
结构：型号系列,型面结构
接口：模拟接口,电压
接口：插接器,M12
工作温度：20.0...28.0 V
分辨率：≤ 10 µm
许可/一致性： CE；cURus
用于动态规则应用：No
【一般特征】
产品组别：微脉冲位移传感器
代数：Generation 6
反极性保护：高36 V
防护等级符合IEC 60529：IP67(带插接器)
许可/一致性： CE；cURus
【电气特征】
超压保护：是
电绝缘：否
工作电压UB,大,DC：28.0 V
工作电压UB,小,DC：20.0 V
故障信号Ua,上升：≥ 10.2 V
故障信号Ua,下降：≥ 10.2 V
耗电量(24 V DC)：≤ 70 mA
接口：模拟接口,电压
接口组：模拟
接通峰值电流：≤ 3 A / 0.5 ms
连接方式：插接器
耐电压(GND – 外壳)：500 V DC
输出信号：0…10 V和10…0 V
线性偏差,大：±200 µm
用于动态规则应用：No
余波：0.5 Vss； 余波Ua,大：5 mV
德国巴鲁夫BALLUFF光电传感器工作原理：
光电效应是指在光照射下，物质中的电子吸收光子能量而发生的电效应现象。根据光电效应的不同表现形式，可以将光电效应分为三大类：
外光电效应：光照射在物体表面上，导致电子从物体表面逸出，这种现象可以通过光电管、光电倍增管等实现。
内光电效应：光照射在物体上，引起物体内部电阻率的改变，这种效应可以用光敏电阻、光敏晶体管等实现。
光生伏应：光照射在物体上，产生一定的方向电动势，这种效应可以通过光电池等实现。
光电传感器通常由以下几部分组成：
光源：提供所需的光照。
光学通路：确保光能在传感器内部正确传输。
光电元件：用于将接收到的光信号转换为电信号，常见的光电元件包括光电二极管(PD)、光电三极管(TPD)和光电池等。
测量电路：处理转换后的电信号，并将其转换为可用的输出信号。
在实际应用中，光电传感器通过改变发切断或接通负载电流，以完成特定的控制动作。
我公司常规型号：
巴鲁夫位移传感器 BTL7-E170-M0165-B-S32
巴鲁夫BCC02M9 BCC M313-0000-10-001-PX0334-050
巴鲁夫BAM013L BTL-P-1013-4R
巴鲁夫BES0356 BES 516-324-SA56-E5-C-S49
巴鲁夫BTL7-C100-M0900-B-S115
巴鲁夫BES04F5+BCC06YZ
巴鲁夫BKS-S116-PU-05
巴鲁夫BTL6-A110-M0500-A1-S115
巴鲁夫BES-M08MH1-PSC15B-S04G
巴鲁夫BES 516-326-BO-C-05
巴鲁夫BCC039P BCC M415-M414-3A-304-PX0434-050
巴鲁夫BNS028J BNS 819-B03-D12-61-12-3B
巴鲁夫BHS004P BES 516-300-S322-S4-D
巴鲁夫BCC039M
巴鲁夫BOS 5K-PS-ID10-S75
