巴鲁夫BALLUFF磁敏传感器BMF00AT

霍尔传感器

依据霍尔效应制成的器件。

霍尔效应：通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时，则载流子受到洛伦兹力的作用， 并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差， 在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显著。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料Insb(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导 体IIIV 元素族都有所应用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件，其内阻大约都在 150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在2~10mA左右，一般采用恒流供电法。

Balluff气缸传感器用于拉杆缸

用于拉杆缸的气缸传感器能够集成到大量应用中。它们以传统方式用支承角钢固定在带系杆和

复式导轨的气缸上。这种固定方式适合具有任意活塞直径的常见气缸型号。

特征：以非接触方式探测气缸位置，系杆直径至17 mm，开关性能可靠，无磨损，

耐脏，固定稳妥，安装快速。

二、常见型号：

Balluff BMF00ML

Balluff BMF0026

Balluff BMF0027

Balluff BMF00LC

Balluff BMF00AT

Balluff BMF00CW

Balluff BMF00AR

Balluff BMF00C4

Balluff BMF00F5

Balluff BMF00J6

Balluff BMF00KM

Balluff BMF0034

Balluff BMF0039

Balluff BMF003U

Balluff BMF003Y

Balluff BMF0040

Balluff BMF0049

Balluff BMF004C

Balluff BMF005A

Balluff BMF005J

霍尔传感器

依据霍尔效应制成的器件。

霍尔效应：通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时，则载流子受到洛伦兹力的作用， 并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差， 在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显著。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料Insb(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导 体IIIV 元素族都有所应用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件，其内阻大约都在 150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在2~10mA左右，一般采用恒流供电法。

巴鲁夫BALLUFF磁敏传感器BMF00AT