碳化硅（SiC）单晶炉的长晶方式（晶体制备方法）主要包括物理气相传输（Physical Vapor Transport, PVT）、高温化学气相积淀（HTCVD）及液相外延（LPE）。

1. 物理气相传输（PVT）

PVT工艺概述：

- 加热模式： 电感加热和电阻加热。

- 温度控制： 2400℃左右。

- 温度测量方法： 高温计通过石英窗口、保温层通孔测试坩埚底部或顶部的温度。

- 温度测量点： 上测温、下测温、或上下测温。

PVT温度监测细节：

- 上测温： 在坩埚顶部安装高温计，监测顶部温度，适用于检测晶体生长区域的温度。

- 下测温： 在坩埚底部安装高温计，监测底部温度，主要用于控制坩埚内材料的均匀加热。

- 上下测温： 同时在坩埚顶部和底部安装高温计，实现对坩埚内温度的监测和精确控制。

2. 高温化学气相积淀（HTCVD）

HTCVD工艺概述：

- 技术挑战： 沉积温度控制。

- 温度测量方法： 需要在高温条件下精确测量气相中的温度，以确保晶体生长的纯度和速率。

- 温度监测设备： 高温计与热电偶组合，可能需要多点温度测量。

HTCVD温度监测细节：

- 多点温度测量： 使用多个高温计和热电偶，监测气相积淀反应区不同位置的温度，确保温度场的均匀性。

- 温度控制系统： 结合反馈控制系统，根据实时温度数据调整加热功率，确保温度的稳定性和精确性。

3. 液相外延（LPE）

LPE工艺概述：

- 技术挑战： 生长速率和结晶质量的平衡。

- 温度测量方法： 需要精确监测液相中的温度，以控制晶体生长的速率和质量。

- 温度监测设备： 高温计和热电偶。

LPE温度监测细节：

- 液相温度测量： 在液相外延反应区设置高温计，监测液相中的温度变化。

- 温度均匀性监测： 在液相中设置多个测温点，确保整个液相区域温度的一致性。

- 反馈控制： 使用实时温度数据，结合控制系统调整加热功率和冷却速率，实现精确温度控制。

编辑搜图

请点击输入图片描述（最多18字）

红外高温计推荐型号

由于设备结构限制，推荐使用带有视频瞄准的高温计。以下是推荐型号：

- IMPAC ISR 6：1000~3000℃，双色，高温，小光斑。

- IMPAC IGAR 6 Smart：100~2550℃，双色，宽量程，低高温兼顾。

- IMPAC IGA 6：250~2550℃，单色，宽量程，低高温兼顾。

- INFRARETON T1-726R：700~2600℃，双色，高温，国产化。

碳化硅长晶工艺中的温度监测方案至关重要，不同工艺方法需要采用不同的温度测量和控制策略。PVT法通过上下测温高温计实现坩埚温度的精确控制；HTCVD法通过多点温度测量和反馈控制系统确保沉积温度的稳定；LPE法则通过多点测温和均匀性监测实现液相外延的高质量生长。结合高温计和热电偶等测温设备，配合精密的控制系统，可以有效提高SiC晶体的质量和长晶效率。