无需溅射刻蚀的深度探索

下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs)，结合使用XPS(A1 Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析，可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。XPS 和HAXPES 的结合使用，可以对纳米颗粒进行深度分辨、定量和化学态分析，从而避免离子束溅射引起的损伤。

深层界面的分析

在两种x射线源中，只有 Cr Ka XPS 能探测到 Y0,下方距离表面 14nm 处的 Cr层。拟合后的谱图确定了 Cr 的化学态。另外，通过比较，光电子起飞角 90°和30°的 Cr Ka谱图结果发现在较浅(表面灵敏度更高)的起飞角时，氧化物的强度较高，表明 Cr 氧化物处于 Y,0,和 Cr 层之间的界面。

内核电子的探测

Cr Ka 提供了额外的 Al Ka 不能获取的内核电子基于 Cr Ka 的高能光电子，通常有多个额外的跃迁可用于分析。

应用领域

主要应用于电池、半导体、光伏、新能源、有机器件、纳米颗粒、催化剂、金属材料、聚合物、陶瓷等固体材料及器件领域。

用于全固态电池、半导体、光伏、催化剂等领域的先进功能材料都是复杂的多组分材料，其研发依赖于化学结构到性能的不断优化。ULVAC-PHI，Inc. 提供的全新表面分析仪器“PHI GENESIS” 全自动多功能扫描聚焦X射线光电子能谱仪，具有优秀性能、高自动化和灵活的扩展能力，可以满足客户的所有分析需求。

PHI GENESIS 多功能分析平台在各种研究领域的应用