光刻工艺技术基础-表面处理

表面处理-光刻胶的特性

跟空气的界面：

如果表面活性不恰当，会形成涂花等光刻胶表面缺陷，一般的解决办法 是添加表面活性剂，或改变涂胶条件（ e.g.闭盖）。

跟衬底的界面：

如果表面活性不恰当，会引起脱膜或图形移位等问题。解决办法包括提高胶的粘附性、HMDS预处理和使用BARC。

表面处理

晶元容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面， 所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和 黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温度通 常在 140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间 的粘附力，使之在显影过程中光刻 胶不会被液态显影液渗透。(如下图)

HMDS 可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。HMDS（六甲基二硅氮甲烷）把它涂到硅片表面后，通过加温可反应生成以硅氧 烷为主题的化合物，这实际上是一种表面 活性剂，它成功地将硅片表面由亲水 变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结 合，起到耦合的作用，再者，在显影 的过程中，由于它增强了光刻胶与基底的 粘附力，从而有效地抑制图形移位。