光刻工艺技术基础-涂胶
时间:2017-08-23 阅读:5184
光刻工艺技术基础-涂胶
涂胶
1.静态滴胶
2.旋转铺开
3.甩掉多余的胶
4.溶剂挥发
涂胶过程
匀胶后在衬底边缘处会形成较厚的边(边珠效 应,这会影响到光刻的图形精度)。
可在涂胶 过程中加入去边及背喷工艺( PGMEA、 EGMEA 为常用去边液)。
去边过程
![](https://img61.chem17.com/9/20170822/636390152266214766263.png)
![](https://img61.chem17.com/9/20170822/636390152390858985191.png)
涂胶成膜过程中各种案例分析
1.表面出现气泡
滴胶时,胶液中混有气泡
喷嘴有问题或者喷嘴不规整
2.放射状条纹
胶液喷射速度过高,设备排气速度过高
滴胶过后静止时间过长
匀胶转速或者加速度设置过高
基片前处理不到位有颗粒残留或者胶液中有颗粒
3.中心漩涡图案
设备排气速度过高
滴胶时偏离衬底中心
匀胶旋涂时间过长
4.中心元晕
不适合的托盘
滴胶喷嘴偏离基片中心
5.胶液未涂满衬底
胶液量不足
匀胶旋涂速度过低或过高
6.针孔
胶液中存在颗粒或者气泡
基片衬底前处理不*表面存在颗粒