novotechnik TLH175滑块式直线位移电子尺外壳长度 ( 尺寸 A) 250 280 300 376 452 514 605 656 758 910 1062 1164 1418 1668 1918 2168 2418 2668 2918 3168 ±2mm
机械行程 (尺寸 B) 108 138 158 234 310 372 463 514 616 768 920 1022 1276 1526 1776 2026 2276 2526 2776 3026 ±2mm
总重量 440 480 500 620 730 820 950 1020 1170 1390 1600 1750 2110 2470 2830 3200 3560 3920 4280 4650 g
滑块重量 45 g
球铰允许位移量 ±1°角度偏差 , ±1.5 mm 平行偏差
工作受力水平方向垂直方向≤ 0.4≤ 1.1
   novotechnik TLH175环境参数
温度范围 -30 ... +100 ℃
抗振动标准
抗冲击标准 50
寿命 >100 x 106 次
zui大运行速度 10 m/s
zui大运行加速度 200 (20 g) m/s2
防护等级 IP 40 (DIN EN 60529)
IP 54 (DIN EN 60529) 面朝下安装时

novotechnik TLH175滑块式直线位移电子尺细分技术
随着对测量精度要求的提高，以栅距为单位已不能满足要求，需要采取适当的措施对莫尔条纹进行细分。所谓细分就是在莫尔条纹信号变化一个周期内，发出若干个脉冲，以减少脉冲当量。如一个周期内发出n个脉冲，则可使测量精度提高n备，而每个脉冲相当于原来栅距的1/n。由于细分后计数脉冲频率提高了 n倍，因此也称n倍频。
通常用的有两种细分方法：其一：直接细分。在相差1/4莫尔条纹间距的位置上安放两个光电元件，可得到两个相位差90o的电信号，用反相器反相后就得到四个依次相差90o的交流信号。同样，在两莫尔条纹间放置四个依次相距1/4条纹间距的光电元件，也可获得四个相位差90o的交流信号，实现四倍频细分。其二：电路细分。

霍耳式位移传感器：它的测量原理是保持霍耳元件（见半导体磁敏元件）的激励电流不变，并使其在一个梯度均匀的磁场中移动，则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大，灵敏度越高；梯度变化越均匀，霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统：a系统的线性范围窄，位移Z=0时，霍耳电势≠0；b系统当Z<2毫米时具有良好的线性，Z=0时，霍耳电势=0；c系统的灵敏度高，测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、寿命长，因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。