带RIE等离子刻蚀机处理模式介绍
时间：2015-12-17 阅读：3961
带RIE等离子刻蚀机处理模式：
直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得zui大的平面刻蚀效果。
定向模式——需要非等向性刻蚀（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不带电托架上，以便取得微小的等离子体效果。
定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时，特制的电极配置可以提供。
湿法刻蚀相对于带RIE等离子刻蚀机的缺点
1. 硅片水平运行，机片高（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；
2. 下料吸笔易污染硅片（等离子刻蚀去PSG后甩干）；
3. 传动滚抽易变形（PVDF，PP材质且水平放置易变形）；
4. 成本高（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。
此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势：无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。
带RIE等离子刻蚀机检验操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。