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硫族化合物晶体
Badikov大尺寸硫化物晶体,硫族化合物晶体
BaGa4Se7晶体
采用Bridgman-Stockbarger方法在实验室中生长了BaGa4S7(BGS)晶体,获得了其含Se的类似物BaGa4Se7(BGSe),其尺寸大到足以测量色散系数和折射系数,这是预测相位相互作用特性的先决条件。
Badikov的晶体实验室具有50多年的硫族化合物晶体的生产经验,以及超过30年的非线性激光晶体,硫化物非线性晶体的商业供应经验。团队已开发出*的培养技术,大型高质量晶体已准备好用于商业供应:BaGa4Se7,BaGa4S7,BaGa2GeSe6,BaGa2GeS6,Ba2Ga8GeS16。Badikov是大尺寸HgGa2S4晶体的制造商。您也可以订Hg1-xCdxGa2S4晶体。还生长了以下具有高光学质量的元素:Ag3AsS3,Ag3SbS3,AgGaS2,AgGaSe2,AgGa1-x InxS2,AgGaxIn1-xSe2,AgGaGeS4,AgGaGe5Se12,HgGa2S4,Hg1-xCdxGa2S4,PbIn6Te10,PbGa6Te10,Pb1-xCaxIn6Te10,Tl4HgI6,PbGa2GeSe6,GaSe等。团队可以根据用户的研究任务,对单晶生长技术的发展进行研究,并合成任何数量的硫化物晶体。我们一直在寻找和开发新的晶体。现在已经生长出了尚未研究或尚未研究的晶体,例如:HgIn2Se4、HgIn2S4、Fe2In2Te5、Fe2Mn2Se5。
AgGaS2晶体简介
AgGaS2晶体是常见的硫化物晶体,通常用来二倍频和三波混频。用适合的光源进行泵浦,基于这类硫化物非线性晶体的参量振荡可以产生光谱范围1~10微米的波长连续可调谐的激光。高质量的非线性晶体AgGaS2和其较长的尺寸使实现高转换效率变得可能。用掺Nd的YAG激光器(1064nm)的单皮秒脉冲泵浦AgGaS2的参量发生已被证实覆盖了2.2~7.4微米范围。由于非共线双晶结构,比之前报道过的(在该光谱范围用皮秒脉冲泵浦的光学参量振荡)更高的转换效率已经可以实现了。而且基于单个的AgGaS2晶体的双通的OPO也实现了。该器件与双晶OPO相比,在不损失转换效率的情况下具有一定优势。
HgGa2S4晶体简介
我们在生长HgGa2S4硫化物晶体等非线性晶体方面占有明显地位。高的激光损伤阈值和高转换效率使得这些晶体可以用于1.0~10 um的波长范围内的倍频和OPO/OPA。据证实,CO2激光器用4mm长的HgGa2S4晶体进行二倍频的量子转换效率为10%(脉宽30ns,辐射功率密度60MW/cm2)。高转换效率和宽波长可调谐发射谱使得HgGa2S4
具有与AgGaS2,AgGaSe2,ZnGeP2和GaSe晶体竞争的实力,尽管生长大尺寸的HgGa2S4具有一定难度。
硫族化合物晶体