CCD光电性能测试系统又称CCD成像电子学系统光电联试定量测试设备。本系统能够解决空间光学遥感器研制中光电成像器件选型、采取抗辐射加固设计及辐射校正设 计及为光电成像器件受辐照后性能变化的机理研究提供检测手段等诸多科学问题；同时能够在业界对光电成像器件抗辐射性能评价的标准化和规范化起到积极推进作用。

CCD光电性能测试系统技术参数：

工作波段：380nm～1000nm(其他波长范围可选)

动态范围：≥80dB

光谱分辨率：≤0.5nm

峰值波长(测量精度)：优于±1nm

中心波长(测量精度)：优于±1.2nm

光谱带宽(测量精度)：优于±2nm

相对光谱响应度(测量精度)：优于2%

有效测量区域：≤Φ120mm

暗噪声：优于±0.5mv

信噪比(测量精度)：优于±5dB

饱和输出电压(测量精度)：优于±20mV

响应非均匀性(测量精度)：优于1%

响应非线性(测量重复性)：优于2%

噪声等效曝光量(测量精度)：优于2%

光辐射响应度(测量精度)：优于2%

测试项目：

饱和输出电压(SV：Saturation Voltage)

暗噪声或固态图像噪声(VNOISE  or VFPN)

暗信号(DS：Dark Signal)

信噪比(SNR：Signal Noise Ratio)

响应度非均匀性(PRNU：Photo Response Non Uniformity)

光辐射响应度(R)

相对光谱响应度(RS)

电荷转移效率(CTE)

噪声等效曝光量(NEE)

饱和曝光量(SE)

动态范围(DR)

非线性度(NL)