GR-75-9气氛保护回转窑

中试用-气氛保护回转窑GR-75-9

主要技术参数：

1.高温度：1050℃

2.使用温度：950℃

3.使用气氛：氮气/空气

4.炉管尺寸φ310x3100（mm）

5.加热方式：镍铬合金丝加热

6.保温材料：陶瓷纤维；

7.温区数：3区

8. 炉管材料：SUS310S耐热不锈钢

9.炉管转速：1~6 r/min无级变频调速，由转动电机、减速机、齿轮传动装置、链条传动装置等构成，可实现自动和手动转换；

10.表面温升温：≤室温+35℃

11.大功率：75KW

12.保温功率：45KW

13.报警系统: 整窑设有过载、炉管停转、超温等报警保护功能；

14. 控制方式：PLC和触模屏

GR-75-9气氛保护回转窑适用于电子材料，如钛酸钡、碳酸锶、碳酸坝、碳酸钙、二氧化钛、二氧化锆、氧化铝，石墨类和钴酸锂、锰酸锂、镍酸锂、磷酸铁锂、三元材料锂电池粉体材料等生产用设备；

磁性材料：NFC、镍梓铁氧体、锰锌铁氧体等生产用设备；

KY法晶体生长炉

30kg级晶体生长炉

详细描述：

凯氏长晶法(Kyropoulos method),简称KY法,又称之为泡生法.其原理与柴氏拉晶法(Czochralskimethod)类似，先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再以单晶之晶种(SeedCrystal，又称籽晶棒)接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上开始生长和晶种相同晶体结构的单晶，晶种以极缓慢的速度往上拉升，但在晶种往上拉晶一段时间以形成晶颈，待熔汤与晶种界面的凝固速率稳定后，晶种便不再拉升，也没有作旋转，仅以控制冷却速率方式来使单晶从上方逐渐往下凝固，后凝固成一整个单晶晶碇. 我司可提供30kg级、70kg级设备。

ZWJ高温晶体生长炉

详细描述：

此项目为高温氧化物晶体生长设备，为国内用户定制。炉体钟罩式升降，放置坩埚和维护热场。

底部坩埚升降，籽晶在坩埚底部，坩埚杆带水冷。

采用分子泵或油扩散泵，控制系统带有PLC和摸触屏。

ZTD-800B单晶硅炉

ZTD-900B单晶硅炉

ZTD-950B单晶硅炉

设备用途:

本设备为生产太阳能电池用的单晶炉，坩埚尺寸18-22英寸，产量从60-130Kg，单晶硅棒直径6.5-8英寸，设备高度为6.1-6.7米，主要可生产主流8英寸单晶硅棒。

本公司可提供生长工艺，保证生长出合格的单晶硅。设有样机，欢迎来人参观考察。

技术参数:

ZW-50-20钨网烧结炉

主要技术参数：

1.额定功率：50KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：2000℃

4.工作区尺寸：Φ140*200

5.极限真空：8*10-4Pa

6.压升率：<3Pa/小时

7.保护气氛：氢气

8.加热区：一区

ZG-80真空熔炼炉

80kg真空熔炼炉ZG-80

主要技术参数：

1.额定功率：160KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：1700℃

4.冷态极限真空：5X10-3Pa

5.保护气氛：Ar

ZT-50-16Y真空热压炉

1.额定功率：50KW

2.额定温度：1600℃

3.工作区尺寸：Ø250×200

4.极限真空度：5X10-2Pa

5.Max.压力：35吨

6.大位移：双向各100mm

7.加压方式：双向

8.充气压力：0.015MPa

SPS-60T-30-Ⅲ烧结炉

主要技术参数：

型号：SPS-60T-30-Ⅲ

1.额定功率：300KW

2.额定电压：380V

3.Max.温度：  2300℃

4.输出电流：30000A

5.输出电压：10V

6.极限真空：5X10-2Pa

7.保护气氛：Ar

8.Max.压力：60T