WS2/WSe2二硫化钨/二硒化钨异质结薄膜

西安齐岳生物提供SiO2/Si基底|石英基底|PET基底|蓝宝石基底异质结材料(石墨烯、氮化硼异质结);具体有:SnS2/Graphene、SnSe2/Graphene、MX2/hBN、MoS2/hBN、WS2/hBN、MoSe2/hBN、MoS2/WS2/hBN/Graphene异质结、MX2/MX2/hBN/石墨烯异质结、MX2/hBN异质结、MX2/石墨烯异质结、MoS2/WS2转角异质结(WSe2,MoSe2)、MX2/GrapheneMoS2/Graphene、WS2/Graphene、MoS2/WS2转角异质结(WSe2,MoSe2)、MoS2/MoS2转角异质结、MoS2/WS2转角异质结、MoS2/WSe2转角异质结、MoS2/MoSe2转角异质结、WS2/WS2转角异质结、WS2/WSe2转角异质结、WS2/MoSe2转角异质结、WSe2/WSe2转角异质结、WSe2/MoSe2转角异质结、MoSe2/MoSe2转角异质结、MX2/hBN/Graphene转角异质结

WS2/WSe2二硫化钨/二硒化钨异质结薄膜:

大尺度单层的2D-TMDCs材料具有高的科研和实用价值。通过CVD制备二维的二硫化钨和二硒化钨所用的氧化钨前驱体自身气化困难,致使反应要在的温度或的气压下进行,这一直是该领域尤待解决的问题。本论文从CVD制备二维二硫化钨和二硒化钨入手,采用卤化物辅助的CVD成功制备了大尺寸的目标材料。研究了该实验体系的生长窗口,探究了生长温度、生长时间、卤化物种类及加入比例和载气的流量等因素对材料生长的影响,实现了在较低的温度、较温和条件下制备大尺寸单层二硫化钨和二硒化钨。通过对所制得的材料进行光学显微镜(Optical Microscope,OM)、扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、拉曼光谱(Raman spectra)、光致发光谱(Photoluminescence spectroscopy)、透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)和原子力显微镜(Atomic Force Microscope,AFM)等表征了材料具有较高的;此外,通过实验探究、结合文献调研对实验机理进行了研究,并对影响生长结果的因素进行了探讨。

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