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CVD-铜基硅基单层/少层/多层氮化硼BN薄膜
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CVD-少层氮化硼BN薄膜
硅基单层氮化硼BN薄膜
CVD-多层氮化硼BN薄膜
CVD铜基多层氮化硼薄膜
CVD-铜基硅基单层/少层/多层氮化硼BN薄膜
在50um厚铜箔上生长了多层氮化硼薄膜。h-B N是一种直接能隙为6ev的体,B-N原子间具有强的离子键。我们采用h-BN化学气相沉积工艺,使缺陷密度保持在较低水平(~1E10-1e11cm-2),并增加单畴尺寸以降低1D晶粒缺陷浓度。多层h-BN板尺寸约为5cm x 5cm或约2x2英寸。
h-BN的性质
在50um厚铜箔上生长了多层氮化硼薄膜。h-B N是一种直接能隙为6ev的体,B-N原子间具有强的离子键。我们采用h-BN化学气相沉积工艺,使缺陷密度保持在较低水平(~1E10-1e11cm-2),并增加单畴尺寸以降低1D晶粒缺陷浓度。多层h-BN板尺寸约为5cm x 5cm或约2x2英寸。
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