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二维CoSe/NF异质结构复合材料 可定制
摘要：基于密度泛函理论方法,系统研究了二维ZnO/InSe异质结的电子结构和光催化性能.计算结果表明,二维ZnO/InSe异质结的晶格失配率为3.3%,形成能为-2.43eV,表明异质结的结构稳定.异质结表现为Ⅱ型能带对齐,价带和导带的带偏置分别为0.51和1.34eV,能够降低电子和空穴的复合率,ZnO/InSe异质结的光催化性能.二维ZnO/InSe异质结是带隙值为2.23eV的直接带隙半导体材料,对应有的可见光吸收范围,且光吸收系数105 cm-1,能够进一步光吸收效率.此外,异质结的带边位置分别跨过水的氧化还原电位,可用于光解水制备氢气.因此,二维ZnO/InSe异质结是一种有前景的可见光光催化材料.
二维CoSe/NF异质结构复合材料 可定制
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