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PZT薄膜-外延铁电薄膜采用离轴射频磁控溅射法在不同衬底上外延生长铁电PZT薄膜。
外延铁电薄膜具有高的结构质量，包括具有非常低波纹的表面和良好的铁电性能。
这种薄膜是铁电畴纳米级研究的理想选择，即使用AFM可以读取和写入具有反向极化的铁电区域。
Order # | Product | Substrate: 10 x 10 mm2 | PZT thickness (nm) |
LS10020010 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 10 |
LS10020011 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 50 |
LS10020012 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 100 |
LS10020013 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 10 |
LS10020014 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 50 |
LS10020015 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 100 |
铁电薄膜材料由于其优越的铁电、压电、介电、光电等电学性能，已经被广泛应用于制备铁电存储器、薄膜电容器和微纳传感器等集成铁电器件。其中，Pb(ZrTi)O3 (PZT) 由于具有优异的电学性能一直是商用铁电和压电材料的理想选择。
