巴鲁夫光电传感器实验化学的检测

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2017-07-20 17:57:36
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产品简介

巴鲁夫光电传感器实验化学的检测
所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层,而且还是光生载流子的产生和传输层,空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。巴鲁夫光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。

详细介绍

巴鲁夫光电传感器实验化学的检测
自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结巴鲁夫光电传感器及其制备方法,其中所述巴鲁夫光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极。其中,该杂化巴鲁夫光电传感器器件特征在于N型硅纳米线阵列与有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触,有效缩短了光生载流子传输路径,提高分离效率,通过界面烷基化处理减少表/界面复合效应。

巴鲁夫光电传感器实验化学的检测
传感器由于具有特殊的光学性质、电学性质及化学性质,在生物化学测量领域具有非常广泛的应用。当传感器中掺入微量过渡金属离子或稀土金属离子杂质而形成掺杂传感器后,该掺杂传感器将呈现出新的光、电及化学性质。它不但几乎保留了传感器的所有优点,而且还避免了传感器存在的自灭、细胞毒性和荧光寿命比较短的缺点,对改善现有传感器的性质及传感器传感器的性能具有非常重要的意义。基于掺杂传感器的光学、电化学等生物化学传感器已得到很好的研究,但掺杂传感器的光电化学性质及其在分析检测中的应用却比较少。设计了一种新型的基于掺杂传感器的巴鲁夫光电传感器,并对传感器的性能进行了研究和优化,完成了基于掺杂传感器巴鲁夫光电传感器的过氧化氢和葡萄糖测量。首先通过1,4苯基二硫醇将掺杂传感器固定在金电极上,得到基于掺杂传感器的敏感金电极;然后在三电极电位仪测量系统下,测量不同电压和光源下的传感器的性能,得出在偏压-300mv,光源驱动电流为200mA,光源波长为365nm的条件下为*测量条件;再然后利用调整好的传感器完成过氧化氢的测量,并与非掺杂传感器的结果进行比较分析得出基于掺杂传感器的巴鲁夫光电传感器可实现过氧化氢的测量,并且铜掺杂的传感器比锰掺杂的测量效果更好;zui后是在完成过氧化氢测量的基础上进行葡萄糖的测量,得出铜掺杂的传感器可实现葡萄糖的测量,比锰掺杂传感器具有更大的灵敏度,并且与其他糖类的测量结果得出铜掺杂传感器对葡萄糖具有很好的选择性。结果证明设计的传感器可以完成过氧化氢和葡萄糖的测量。
自驱动宽光谱响应硅基杂化异质结巴鲁夫光电传感器,其特征在于,所述巴鲁夫光电传感器包括金属背电极、N型硅基底、N型硅纳米线阵列、有机聚合物半导体薄膜和传感器正极;其中,所述N型硅纳米线阵列刻蚀在所述N型硅基底上表面,所述有机聚合物半导体薄膜覆盖在所述N型硅纳米线阵列表面,所述传感器正极设置在所述有机聚合物半导体薄膜表面作为电池正极;所述金属背电极设置在所述N型硅基底下表面;所述N型硅纳米线阵列与所述有机聚合物半导体薄膜构成三维立体的异质结接触。 

巴鲁夫光电传感器实验化学的检测
所述的硅基微纳结构不仅是作为主要吸光层,而且还是光生载流子的产生和传输层,空穴传输层所述的为P型有机半导体薄膜。巴鲁夫光电传感器具有自供电、宽光谱响应、低成本大面积制备、光电响应速度快等特点。

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