SUTE绝缘膜

SUTE绝缘膜具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。

具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。

能够保证良好电绝缘性的薄膜。这种薄膜应当具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。无机绝缘体通常称为电介质，常用的有氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝；常用的有机绝缘膜材料有聚酰亚胺、聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚四氟乙烯。不论是无机还是有机绝缘体，一般都具有在外电场作用下极化的能力。用作电绝缘膜时，希望其介电常数低，以减少介质损耗。

具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。

具有很高的电阻率(高于1010Ω·cm)和击穿场强，而电子结构特点是禁带宽度大。为了用于高频绝缘，还要求材料具有低的介电损耗。绝缘膜有无机和有机两类。