半导体专用氮气发生器(腔体保护气，干泵吹扫气)

型号：NITROGEN-M-100/200

Peculiar针对LC/MS氮气流量、纯度、压力的特殊要求专门设计了安全、高效、方便的半导体专用氮气发生器，它可以产生纯度高达99.5%的洁净、干燥氮气，符合半导体行业腔体保护气，干泵吹扫气要求，包含APCI及ESI接口。

半导体专用氮气发生器(腔体保护气，干泵吹扫气)主要技术参数：

◎流量：0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作环境：5C-40℃   湿度80%

◎使用最高海拔：2200m

◎露点：<-55℃

◎颗粒：<0.01μm

◎滞留液体：无

◎邻苯二甲酸：无

◎噪声：<47dB(A)

◎开机纯化时间：30min

◎功率：8000W

◎电力要求：220V 50Hz