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光弹调制器
美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界*的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。
对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的*之处包括：
? 非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率
? 超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°）
? 波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ）
? 高损伤阈值
? 可精确控制相位延迟
美国Hinds Instruments, Inc公司PEM电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够zui小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。
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应用举例：
在偏振方向调制中的应用介绍.pdf
Hinds Instruments主要分为两个系列：
Series I 系列使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。
Series II系列使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。
Hinds Instruments公司的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
| TABLE 1 |
|
|
| SPECTRAL REGION | SERIES | MATERIAL |
| Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
| Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
| Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
| Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
| Near- to mid-IR | II | Silicon |
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师）
磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中
基本指标
| Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful Aperture1 | |
| Quarter Wave | Half Wave | ||||
| I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
| I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
| I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
| II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
| II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
| II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
| II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
| II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm
|
| II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
| II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
| II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
| II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
| II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
| II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
| II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
| II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
| II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
美国Hinds Instruments, Inc公司相关文献请参考：http://www.auniontech。。ｃｏｍ/n/document/v_Paper_of_Hinds.html
光弹调制式反射差分光谱仪的理论分析.pdf
在偏振方向调制中的应用.pdf
应用的Mueller矩阵分析.pdf
式多通道反射差分光谱技术.pdf
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使用测量D-丙氨酸单晶低温变温光学性质的研究.pdf
