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双马赫曾德尔IQ强度调制器(单边带产生)
马赫增德尔IQ调制器概述
光波导型IQ调制器一共有三个MZ干涉波导结构组成(一个母MZ干涉结构,两个子MZ干涉结构),其中I为in-phase,Q为quadrature,控制调制器的射频输入即IQ信号为同相正交信号,即Q与I的相位相差了90度。IQ型调制器在QAM,QPSK等高阶调制格式和单边带产生中运用广泛。
图1:调制器内部结构图
法国IXBLUE(原photline)生产的基于x-cut设计的双马赫曾德尔调制器有相对更稳定和零啁啾的特性,并且具有高消光比和高带宽的性能。因为具有高主载波抑制比,被广泛用在单边带产生(Single Side Band)相关应用中。
IQ调制器性能参数
Parameter | Min | Typ | Max | Max |
Operating wavelength | 1530 | 1550 | 1580 | nm |
Insertion loss | - | 5 | 7 | dB |
Carrier attenuation | 32 | 40 | - | dB |
Side-Band attenuation | 32 | 40 | - | dB |
Electro-optical bandwidth | 20 | 25 | - | GHz |
CS-SSB 单边带产生 载波和副载波抑制效果
单边带调制示意图
可配套驱动和偏压控制器详情请联系我司。
双马赫曾德尔IQ强度调制器(单边带产生)