佐盈森半导体激光治疗仪技术参数:  

激光媒介  

GaAIAs--半导体  

输出波长主波长808nm+10nm辅助波长650nm+10nm  

输出模式连续或间歇  

工作方式:双路输出，独立控制，非接触式，体表垂直照射  

激光器功率:@整机输出功率:面照治疗头为:500mwx3(808激光)  

x80(650激光)=1900mw点照射治疗头为:500mwx1(808激光)x6(650激光)=530mw输出总功率为:2430mw@功率:面照射治疗头:1000mwx3+10mwx80点照射治疗头:1000mwx1+10mwx6 +5mw  +5mw@单个激光器输出功率500mw，调节范围20-500mw，步进1mw，显示值于工作激光实际输出允差为土20%  

照射面积:@面照治疗头:24cm0.2cmx14m+0.2cm面照射面积:33600mm2@点照治疗头:3.3cm0.2cm，点照射面积:66mm2*8、激光器数量:面照治疗头激光管83个，点照射治疗头激光管7个  

输出激光功率不稳定度st:优于+10%  

输出激光功率复现性Rp:优于10%  

显示方式:彩色液晶显示屏中文菜单  

操作:8英寸触摸屏可随意触摸操作  

噪音:治疗仪噪音<60dB(A)  

控制系统:微电脑控制  

佐盈森半导体激光治疗仪的气缸液压支架:调节，全铝坚硬打造，高低升降，随推随用