包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率，可用于没有高度调节可能性的晶圆，或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。

MDPspot少子寿命测试仪特点：        

◇  无接触无破坏的电学半导体特性        

◇  包括μ-PCD测量选项        

◇  对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有*的灵敏度        

◇  集成多达四个激光器，用于宽的注入水平范围

◇  获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图        

技术规格:  

MDPspot少子寿命测试仪优点：        

◇  台式装置，用于载流子寿命的单点测量，多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段，从原生材料到器件。        

◇  体积小，成本低，使用方便。附带一个基本的软件，用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。        

◇  适用于硅片到砖，操作高度调节方便。

细节：        

◇  允许单晶圆片调查        

◇  不同的晶圆级有不同的配方        

◇  监控物料、工艺质量和稳定性      

附加选项：

◇  光斑大小变化

◇  电阻率测量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射测量(MDP)

◇  软件扩展

◇  额外的激光器选配