freiberg弗莱贝格MDpicts微瞬态谱仪

 微波探测光诱导电流瞬态谱仪对于半导体材料少子寿命，电学参数和界面陷阱等进行非接触和非破坏性测试。硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层

半导体材料的基础研究和开发
配置选项
灵敏度：对半导体材料电学缺陷有高灵敏度
温度范围：液氮(77K)到500K,可选：液氦(4K)或更高的温度
衰减常数范围：20ns到几十ms
玷污检测：电学陷阱基本性能确定：
激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性：>99.5%，测试时间< 6 0 分 钟 ，液氮消耗：2L/run
灵活性： 从365nm到1480nm,根据不同材料选择不同波长的激发光源
辅助功能：基于IP的系统，允许在任何地方进行远程操作和技术支持

半导体材料性能研究和开发

+  半导体材料质量控制
+  缺陷种类确定：激活能，俘获截面等参数

freiberg弗莱贝格MDpicts微瞬态谱仪

测试原理

MDpicts采用*的光诱导电流瞬态谱测试技术（PICTS）是非接触测试并具备更高的灵敏度，在各种半导体材料研究中开辟了新的应用。这个技术对半导体材料中的电学缺陷行为，可以提供与D L T S 技术相媲美的灵敏度，并给出载流子陷阱在材料中的主要复合中心。