本文采用徕卡三离子束切割仪TIC 3X的旋转抛光样品台制备IC芯片。文中样品很好地说明了徕卡三离子束切割仪中旋转抛光平台的概念。即使遇到直径达38 mm的样品的时候，表面能处理的区域也能达到30 mm。离子束抛光程度如何取决于之前的机械抛光，因此建议在离子束抛光前的机械抛光尽量做得好一些，在50倍的光镜下看不见划痕为宜。