半导体技术的一个重要目标是减少所有构成半导体器件中，晶体和非晶层中固有的和因生产工艺引起的缺陷。杂质、晶界、晶面等引起的缺陷会导致陷阱的产生，陷阱可以俘获自由电子和空穴。即使浓度非常低，陷阱也能ji大地改变半导体器件的性能。数字化深能级瞬态谱仪DLTS是现在一种非常通用的技术，可用于测定与陷阱相关的几乎所有参数，包括密度、热界面（热发射率）、能级和空间剖面等。

主要特点

●快速而灵敏地检测半导体中的电活性缺陷

●高灵敏度：体陷阱检测限< 10⁹ atoms/cm³；

●具有低至3微秒的快速响应时间

●具有对过载的快速恢复能力以及对泄露电流的高免疫能力

●快速温度扫描能力：每8分钟100K且不影响灵敏度

●高达60dB的背景电容抑制能力度 

●数字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采样增量，50倍的时间跨度，和不限平均点数的平均瞬态

●单次温度扫描可同时记录不同发射率窗下的8幅谱图

数字化深能级瞬态谱仪DLTS主要应用

  ●PN结                 ●肖特基二极管

  ●MOS管             ●LED

  ●场效应管           ●半导体激光器

  ●高电阻率半绝缘材料