位置传感器

传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应，如光电池等。

位置传感器

PT771-700-600
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500
FC-T G1/2-75-01 1000955291175900401
NT 63-K4-MS-M3/1270 100052938 034694 008
NT61-HT-M3/370-2K6 0-370MM 24VDC
MDH-400+E00-5
MTW-5-100+E05+M01+P
PT771-010-2S
PT771-010-4S
PT771-010-1S-K
PT771-250-2S
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001