三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH
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三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH

三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2020-02-24 14:21:38
281
属性:
供货周期:现货;规格:见详情;货号:4523156;应用领域:医疗卫生,能源,电子,交通,电气;主要用途: 控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,U;
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产品属性
供货周期
现货
规格
见详情
货号
4523156
应用领域
医疗卫生,能源,电子,交通,电气
主要用途
控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,U
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山东恒泰正宇电源科技有限公司

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产品简介

控制系统,电动玩具,应急灯,电动工具,报警系统,应急照明系统,备用电力电源,UPS,电力系统,电信设备,消防和安全防卫系统,铁路系统以及发电站等。
三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH

详细介绍

三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH

三瑞蓄电池6FM150E-X密封式12V150AH

 

早在上个世纪九十年代初期,VISION多个规格产品就已应用于欧洲通讯终端,现在更是被广泛应用到欧、美洲通讯、电力、光伏、不间断电源、照明以及动力电池等行业和市场。

目前EPS的主要应用领域是为各种建筑物和重要公共设施的消防应急照明和消防动力提供应急备用电源。同时在化工、冶金、污水处理等工业领域、医院手术室和监护病房、大型场馆和超市等的正常照明等方面也有很多应用。随着EPS产品的技术进步、技术性能和可靠性的进一步完善,以及人们安全防范意识的提高,EPS产品的应用会更加广泛。
   控制电路主要通过对直流电流、直流电压、交流电流、交流电压等信号的检测,实现系统的过压、欠压、过流、过放电、过热和反时限等保护功能。控制芯片采用Intel80C196MC微处理器。

    Intel80C196MC是Intel公司于1992年推出的真正的16位单片机,由于此片内集成了一个颇具特色的波形发生器(WG)单元,从而大大简化了用于产生SPWM波形的软件和外部硬件电路。波形发生器有3个独立的模块,每个模块均包含一个数值比较器、比较寄存器、比较缓冲器、无信号时间发生器和一对可编程输出驱动通道。三相波形有共同的载波频率和共同的死区时间,可编程为三角波调制方式或锯齿波调制方式,一旦启动后只要求在改变PWM占空比时加以干预,其余时间均不占用CPU。

    波形发生器由时基发生器、相驱动通道和控制保护电路组成。

    时基发生器为PWM波形建立载波周期。80C196MC通过从重装载寄存器(WG-RELOAD)中读入数据来确定载波周期的长短,因此用户可以通过在程序中改变重装载寄存器的值来改变载波周期值。

    相驱动通道确定PWM波形的占空比。每相驱动通道都有各自的相比较缓冲寄存器(WG-COMPX),一般情况下,PWM波形的占空比由工作方式、重装载寄存器和相比较缓冲寄存器这三个方面来决定。

    控制电路包括控制寄存器(WG-CONTROL)和输出寄存器(WG-OUT)。同时,CPU内部还有一个保护电路用于监测EXTINT输入端,以便对异常情况进行处理。

    另外,无信号时间发生器电路是波形发生器的一个非常重要的功能,可以用来防止一对互补的PWM信号同时有效,从而避免了同一桥臂的上下两只功率管直通;同时,用户可以通过软件向WG-CON寄存器的低10位装入一个数来任意设置无信号时间。
  除用于消防应急照明EPS外,由于缺乏相应的国家标准或行业标准,EPS的发展不够规范,无论是规格系列还是技术性能、外形尺寸,都具有多样性,标准化程度较差。这对制造厂家的生产制造和用户的选用都造成很多困难,也在一定程度上影响了EPS产品及其应用的健康发展。

    ISION阀控密封式铅酸蓄电池在整个寿命期间不需加水,水分解时正极产生的氧气,负极产生氢气,氧气通过胶体或者玻璃纤维隔膜到达电池负极,通过内循环氧气、氢气再结合为水。阀控密封式铅酸蓄电池的安全阀,在电池内压过大时打开排出过剩氢气,从而使电池内外部的压力达到平衡。因此使用过程中耗水量极小,从而使电池达到密封免维护。

威神蓄电池CP系列

,VISION蓄电池号 

电压 

容量 

尺寸(mm/Kg[(±5%)]) 

目录价/元
(铅价14000) 

(V) 

(Ah) 

长 

宽 

高 

总高 

重量 

CP1212 

12 

1.2 

97 

43 

52 

58 

0.61 

  

CP1223 

12 

2.3 

178 

35 

61 

67 

0.99 

  

CP1229 

12 

2.9 

79 

55.5 

98.5 

104 

1.18 

  

CP1232 

12 

3.2 

134 

67 

61 

67 

1.3 

  

CP1245E 

12 

4.5 

90 

70 

101 

107 

1.55 

  

CP1245H 

12 

4.5 

90 

70 

101 

107 

1.72 

  

CP1250HY 

12 

90 

70 

101 

107 

1.72 

  

CP1250 

12 

90 

70 

101 

107 

1.8 

  

CP1250H 

12 

90 

70 

101 

107 

1.8 

  

CP1265AE 

12 

6.5 

151 

65 

94 

100 

1.9 

  

CP1270 

12 

151 

65 

94 

100 

2.32 

  

CP1270A 

12 

151 

65 

94 

100 

2.37 

  

CP1270M 

12 

151 

65 

94 

100 

2.2 

  

CP1275 

12 

7.5 

151 

65 

94 

100 

2.3 

  

CP1280H 

12 

151 

65 

94 

100 

2.5 

  

CP1290 

12 

151 

65 

94 

100 

2.8 

  

CP12100 

12 

10 

151 

98 

95 

101 

3.25 

  

CP12120 

12 

12 

151 

98 

95 

101 

3.67 

  

CP12170E-X 

12 

17 

181 

77 

167 

167 

5.3 

  

CP12170H-X 

12 

17 

181 

77 

167 

167 

5.9 

  

CP12170-X 

12 

17 

181 

77 

167 

167 

5.9 

  

CP12240F-X 

12 

24 

166 

175 

125 

125 

7.6 

  

CP12240-X 

12 

24 

166 

175 

125 

125 

8.1 

  

CP12280S-X 

12 

28 

165 

125 

175 

175 

9.3 

  

CP12400F-X 

12 

40 

197.5 

165.5 

170 

170 

12.8 

  

CP12650F-X 

12 

65 

350 

167 

179 

179 

20.4 

 

   主电路的拓扑结构如图2所示。由图2可知主电路主要包括蓄电池的过充保护电路和逆变电路。图中uFP表示经过整流后的风机输出电压,uSP表示太阳电池输出电压,K为电磁继电器,GB为额定电压24V的蓄电池组。
    当蓄电池的电压过高时,A点电压就会大于TL431的基准电压值Uref(=2.5V)从而使TL431导通,B点被钳为低电平,V1截止,C点为高电平,V3导通,V2截止,D点为高电平,此时VT14和VT15均导通,继电器K动作。根据太阳能电池和风机的特性,太阳能电池的输出电压被直接短路,风机的输出电压通过大功率卸载电阻R9卸放掉;相反,当蓄电池的电压过低时,VT14和VT15均截止,太阳能电池和风机的输出电压就对蓄电池充电。

    采用单相全桥逆变电路,用功率MOSFET作为逆变电路的开关器件。功率MOSFET是一种多子导电的单极性电压控制型器件,具有开关动作快、输入阻抗大、驱动功率小、无二次击穿、驱动电路简单、安全工作区大等优点,特别是由于具有正温度系数,可以自动均衡电流,所以在输入电压低、工作电流大的逆变电源系统中可以将几只功率MOSFET并联以提高电流容量。在本系统中,将三只功率MOSFET并联,使电流容量增大到三倍。逆变器将整流后的直流电压转换成特定频率的SPWM波,再经过电感和电容滤波将其转换为220V的标准正弦波电压,其中电感用变压器次级的漏感代替,采用这种方式使系统结构简单,噪音低,并且能有效地抑制波形中的高次谐波成分。
    SPWM控制方式预先将0~360°的正弦值制成表格存于EPROM中。由于开关驱动信号是利用正弦波参考信号与一个三角载波信号互相比较而生成的,常分为单极性和双极性两种情况。在开关频率相同的情况下,由于双极性SPWM控制产生的正弦波,其谐波含量和开关损耗均大于单极性,故本系统采用的是单极性SPWM控制。
    隔离和驱动电路是将Intel80C196MC芯片输出的SPWM信号加以隔离、放大,形成驱动各功率器件开关动作信号的电路。本系统采用东芝公司生产的于驱动功率MOSFET和IGBT的栅极隔离驱动芯片TLP250,其结构框图如图3所示。它是一光电耦合器件,但又不同于普通的光耦,由于其输出级是经推挽电路放大输出的,所以它不但能使原副边隔离,而且具有驱动能力,特别适合于驱动中等功率的MOSFET和IGBT。同时,在工程应用中为了从硬件上可靠防止同一桥臂上的两个功率器件上下直通,故将驱动同一桥臂功率器件的两个TLP250的脚2和脚3互相对接,形成互锁电路,从而有效地防止了桥臂功率器件的直通故障。

 

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