深圳市三佛科技有限公司 供应 Si2338DS 威世，原装，库存现货热销

 Si2338DS参数：30V  6A   SOT23        N沟道 MOS管/场效应管

品牌：VISHAY 威世 
型号：Si2338DS
VDS： 30V
IDS：  5A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
Si2338DS 原装现货,Si2338DS优势热销

  HN3400：  30V  5.8A  SOT23  N沟道 MOS管

  HN3400 可以替代 Si2338DS

 HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品
品牌：HN
型号：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
HN3400,原装现货，HN3400,优势热销

C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

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