深圳市三佛科技有限公司 供应 30V N沟道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400，原装，库存现货热销

 HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品
品牌：HN
型号：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
HN3400,原装现货，HN3400,优势热销

HN3400,HN3400B可以替代型号：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS
阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。

 我司可以免费提供HN3400样品。

 30V N沟道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400 产品热销

分析N沟道EMOS管：

N结的形成是因为电子为载流子，没有形成共价键的电子便成为了载流子。

1.当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）

2.当栅极G引脚接低电平，漏极和源极随便哪一个极接高电平时，G和N或G和S之间的PN结就反偏，反偏那么GD或GS之间就不会导通，还会导致PN结向中间扩展当中间全部被PN结覆盖时就意味着阻断了D极和S极之间的通路。

结论：N沟道EMOS管的栅极G接低电平时，PN结反偏，当反偏电压加载到反偏截至区时DS之间就不会导通（D极或S极接高电平）

3.当栅极G引脚接高电平，漏极D或源极随便哪一个接低电平时，导通电压Vgd或Vgs满足时，漏极D和源极S之间就导通，并且是大电流导通，因为你就是不接G极时，DS之间也会有电流，但是没有电流放大作用，在G极接高电平时就对电流经行了放大，并且在G极接低电平，S极或D极接高电平时，SD之间截至。

结论：N沟道EMOS管的栅极接高水平时，PN结正偏导通，对电流有放大作用。