深圳市三佛科技有限公司 供应 Si2366DS 30V MOS管，原装，库存现货热销

Si2366DS 参数：30V  5.8A  SOT23  N沟道 MOS管 
品牌：VISHAY 威世 
型号：Si2366DS
VDS： 30V
IDS：  5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
Si2366DS原装现货,Si2366DS优势热销

 HN3400 可以替代 Si2366DS

 HN3400参数：30V  5.8A  SOT23  N沟道 MOS管 

 品牌：HN

型号：HN3400

VDS： 30V
IDS： 5.8A
封装： SOT-23
沟道：N沟道
HN3400,原装现货，HN3400,优势热销

HN3400为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN3400实际电压可以达到30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3400产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品。

 场效应管使用优势：
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

 Si2366DS 30V MOS管 产品热销