深圳市三佛科技有限公司 供应 AO5404E 万代，原装，库存现货热销

 AO5404E 参数：20V 0.5A  SC89-3  MOS/场效应管
品牌：万代
型号：AO5404E
VDS: 20V 
IDS:   0.5A
封装：SC89-3
沟道：N沟道
AO5404E原装产品，AO5404E优势热销

HN20N03 可以替代   AO5404E

HN20N03 参数：30V 20A SOT-89 N沟道 MOS/场效应管 
品牌：HN
型号：HN20N03
VDS: 30V
IDS:  20A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HN20N03原装现货，HN20N03优势热销。

HN20N03为低压MOS:30V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN20N03实际电流可以达到20A，可以满足LED电源，充电器，快充，旅充，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。
HN20N03产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品

售后：我司可以免费提供HN20N03样品

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 MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。