深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE3415 新洁能 -20V -4A PMOS，原装，库存现货热销

 NCE3415参数：-20V -4A SOT-23    MOS管/场效应管  P沟道
品牌：新洁能NCE
型号：NCE3415
VDS:  -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
沟道：P沟道
种类：绝缘栅(MOSFET)
NCE3415原装现货，NCE3415优势热销

HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管  带ESD静电保护

HN3415  可以替代 NCE3415

 品牌：HN
型号：HN3415D
主要参数：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
ESD保护：1500V
HN3415D原装现货，HN3415D优势热销

HN3415D广泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上。

售后：免费提供样品，和产品技术支持。
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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 NCE3415 新洁能 -20V -4A PMOS 产品热销，HN3415  可以替代 NCE3415

 判断mos跨导的大小

测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。