深圳市三佛科技有限公司 供应 60V SOT-23 PMOS HN04P06，原装，库存现货热销

 HN04P06 参数：  -60V  -4A  SOT-23   P沟道MOS管/场效应管
品牌：HN
型号：HN04P06 
VDS： -60V
IDS： -4A
封装： SOT-23
沟道：P沟道
HN04P06原装现货，HN04P06优势热销

HN04P06为中压MOS:耐压60V，-4A,P沟道，SOT-23封装，MOS场效应管，HN04P06实际电压可以达到60V，HN04P06产品质量稳定广泛运用于小家电，LED灯，电源，玩具，雾化器等。

 售后服务：公司免费提供HN04P06样品，并提供产品运用的技术支持。

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N沟道EMOS管：

N结的形成是因为电子为载流子，没有形成共价键的电子便成为了载流子。

1.当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）

2.当栅极G引脚接低电平，漏极和源极随便哪一个极接高电平时，G和N或G和S之间的PN结就反偏，反偏那么GD或GS之间就不会导通，还会导致PN结向中间扩展当中间全部被PN结覆盖时就意味着阻断了D极和S极之间的通路。

结论：N沟道EMOS管的栅极G接低电平时，PN结反偏，当反偏电压加载到反偏截至区时DS之间就不会导通（D极或S极接高电平）

3.当栅极G引脚接高电平，漏极D或源极随便哪一个接低电平时，导通电压Vgd或Vgs满足时，漏极D和源极S之间就导通，并且是大电流导通，因为你就是不接G极时，DS之间也会有电流，但是没有电流放大作用，在G极接高电平时就对电流经行了放大，并且在G极接低电平，S极或D极接高电平时，SD之间截至。

结论：N沟道EMOS管的栅极接高水平时，PN结正偏导通，对电流有放大作用。

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