深圳市三佛科技有限公司  20V 4A PMOS 带ESD保护 HN3415，原装，库存现货热销

 HN3415D采用*的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适用于负载开关或脉宽调制应用。它是防静电的
应用：脉宽调制应用，负载开关，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD额定值：2500V hbm●高功率和电流处理能力●获得无铅产品●表面安装包

 HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道  MOS管/场效应管  带ESD静电保护
品牌：HN
型号：HN3415D
主要参数：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封装：SOT-23
ESD保护：1500V
HN3415D原装现货，HN3415D优势热销
HN3415D广泛运用于电源，充电头，控制板，计算机，家电，通讯设备等产品上。

售后：免费提供样品，和产品技术支持。

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HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 分析N沟道EMOS管：

N结的形成是因为电子为载流子，没有形成共价键的电子便成为了载流子。

1.当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）

2.当栅极G引脚接低电平，漏极和源极随便哪一个极接高电平时，G和N或G和S之间的PN结就反偏，反偏那么GD或GS之间就不会导通，还会导致PN结向中间扩展当中间全部被PN结覆盖时就意味着阻断了D极和S极之间的通路。

结论：N沟道EMOS管的栅极G接低电平时，PN结反偏，当反偏电压加载到反偏截至区时DS之间就不会导通（D极或S极接高电平）

3.当栅极G引脚接高电平，漏极D或源极随便哪一个接低电平时，导通电压Vgd或Vgs满足时，漏极D和源极S之间就导通，并且是大电流导通，因为你就是不接G极时，DS之间也会有电流，但是没有电流放大作用，在G极接高电平时就对电流经行了放大，并且在G极接低电平，S极或D极接高电平时，SD之间截至。

结论：N沟道EMOS管的栅极接高水平时，PN结正偏导通，对电流有放大作用。

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