深圳市三佛科技有限公司 供应50N06 华能 HN50N06DA，原装，库存现货热销

 HN50N06DA参数：60V 50A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管
品牌：HN
型号：HN50N06DA
VDS：60V 
IDS：50A  
RDS(on)Max：20mΩ
封装：TO-252
沟道：N沟道
HN50N06DA原装产品,HN50N06DA现货热销供应。

HN50N06DA产品应用于：汽车LED灯,应急灯等低压DC/DC电路, HID防反接电路, 马达驱动等等
售后服务：公司免费提供HN50N06DA样品，并提供产品运用的技术支持。

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分析N沟道EMOS管：

N结的形成是因为电子为载流子，没有形成共价键的电子便成为了载流子。

1.当栅极G引脚悬空时，漏极D和源极S相当于一根导线，载流子为游离的电子；（电流较小）

2.当栅极G引脚接低电平，漏极和源极随便哪一个极接高电平时，G和N或G和S之间的PN结就反偏，反偏那么GD或GS之间就不会导通，还会导致PN结向中间扩展当中间全部被PN结覆盖时就意味着阻断了D极和S极之间的通路。

结论：N沟道EMOS管的栅极G接低电平时，PN结反偏，当反偏电压加载到反偏截至区时DS之间就不会导通（D极或S极接高电平）

3.当栅极G引脚接高电平，漏极D或源极随便哪一个接低电平时，导通电压Vgd或Vgs满足时，漏极D和源极S之间就导通，并且是大电流导通，因为你就是不接G极时，DS之间也会有电流，但是没有电流放大作用，在G极接高电平时就对电流经行了放大，并且在G极接低电平，S极或D极接高电平时，SD之间截至。

结论：N沟道EMOS管的栅极接高水平时，PN结正偏导通，对电流有放大作用。

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