深圳市三佛科技有限公司 供应 P沟道  -30V SOT-23 MOS管， HN3401 原装，库存现货热销

 HN3401参数：-30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
品牌：HN
型号：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封装：SOT-23
沟道：N沟道
HN3401为低压MOS:-30V，P沟道，大电流，小封装MOS，HN3401实际电压可以达到-30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，
HN3401产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N
HN3401原装现货，HN3401优势热销。

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 【30V MOS N/P沟道】
HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N沟道 MOS管
HN20N03DA：30V 20A TO-252   N沟道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N沟道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N沟道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P沟道  MOS管 
 

 场效应管工作原理：就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
 

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