金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH
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金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH

PH100-12金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH

参考价: 订货量:
10 1

具体成交价以合同协议为准
2019-10-23 15:44:42
203
属性:
供货周期:现货;规格:PH100-12;应用领域:电子;主要用途:UPS电源/EPS电源/直流屏/等;
>
产品属性
供货周期
现货
规格
PH100-12
应用领域
电子
主要用途
UPS电源/EPS电源/直流屏/等
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北京赛晟特科技有限公司

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产品简介

金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH
其他通用型电源系统均可适用
高功率高级品UPS

详细介绍

金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH

金武士蓄电池PH100-12储能电池12V100AH

 

-金武士蓄电池电源设备有限公司成立于2002年,中国制造基地设于广东省佛山市禅城区,是*,产品获得CE认证,获得TUV ISO9001品质认证,金武士蓄电池一直致力于为高品质电源设备的设计、制造和服务,确保消费者在多渠道得到完善的售前售后服务

-----自成立以来,金武士蓄电池公司一直专注研究企业在进入发展中过程中遇到的电力环境挑战,以及不 同的电力环境可能给发展中和地区,尤其是自然条件恶劣地区带来的发展机会不均衡,并致力于解决这一问题。
-----金武士电力保护、电力转换、电力储备三个产品系列及完备的系列产品。其中电力保护部门就有中国员工达500余人,UPS生产车间占地20000平方米,产能达到60万台/年,销售额超过1亿元人民币。电力 储备部门年产蓄电池数量达120万,制造中心设计年产能更高达65万千伏/安时,除部分供给新光宏锐旗下金武士品 牌UPS产品外,大部分进入品牌在南中国地区的集中采购序列。
今天,经过与科研、学术机构的合作,金武士提出“UPS应用环境专家”的业界标准,集中精力解决过去不少昂贵的品牌UPS忽视应用环境挑战、成本挑战和技术人员挑战的问题,制造严苛环境内的“高适用性UPS系统”。过去十几年中,新推出的金武士UPS设备及相关的电力储备、电力转换设备已经被广泛应用于南亚、西亚、非洲、拉丁美洲的190多个和地区,其中包括喜玛拉雅山脉等的通讯站、印度阿萨姆邦山区窄轨铁 路系统,也被金融行业、精密制造、地铁等关键部门广泛采用。


今天,经过与科研、学术机构的合作,金武士提出“UPS应用环境专家”的业界标准,集中精力解决过去不少昂贵的品牌UPS忽视应用环境挑战、成本挑战和技术人员挑战的问题,制造严苛环境内的“高适用性UPS系统”。过去十几年中,新推出的金武士UPS设备及相关的电力储备、电力转换设备已经被广泛应用于南亚、西亚、非洲、拉丁美洲的190多个和地区,其中包括喜玛拉雅山脉等的通讯站、印度阿萨姆邦山区窄轨铁 路系统,也被金融行业、精密制造、地铁等关键部门广泛采用。

金武士蓄电池应用领域::

UPS后备电源、控制设备、安全系统、医疗器材、应急电源、电动工具、电子仪器、电脑设备等

金武士系列阀控密封式免维护铅酸蓄电池采用高性能极板、新技术AGM隔板、高纯度电解液及ABS材料池壳制成,综合性能优于一般普通阀控铅酸蓄电池
金武士PW常规系列蓄电池:12V17Ah, 12V24Ah, 12V38Ah, 12V65Ah, 12V100Ah, 12V150Ah, 12V200Ah

产品规格表

产品型号

额定电压(V)额定容量(Ah)小时率电池尺寸(mm)
长*宽*高/总高
重量(Kg)端子型式螺栓规格
PH17-12

12

18C20181*76*167/1675.4L形转接式直立铜片端子M5*15
PH24-12-YA

12

26C20176*167*125/1258.3L形转接式直立铜片端子M5*15
PH38-12-YA1240C20197*165*170/17013.1L形转接式直立铜片端子M5*20
PH65-12-YA1265C10347*167*177/17721.4L形转接式直立铜片端子M6*25
PH100-12-YA12100C10407*172.5*210/23732.2L形转接式直立铜片端子M8*25
PH150-12-YA12150C10483*171*240/24042.8L形转接式直立铜片端子M8*25

PH200-12-YA

12200C10522*240*219/24459.6L形转接式直立铜片端子M8*25
 

 

电池型号PH100-12-YA
设计浮充寿命(25oC)8年
容量(25oC)

10HR(10.0A,1.8V)

5HR(18A,1.75V)

3HR(26.0A,1.75V)

2HR(36.0A,1.75V)

100.0AH90.0AH78.0AH72.0AH
外形尺寸总高

407mm

172.5mm

210mm

237mm

重量

32.2Kg (70.93lbs)

内阻(25oC)

充电饱和状态5.3mΩ

自放电(25oC)约3% / 月
容量与温度的关系(20Hr)40oC25oC0oC-15oC
102%*85%65%
补充电制度循环使用浮充使用

14.4~15.0V(-30mv/℃),大补充电电流:20.0A

13.6~13.8V(-20mv/℃)

 金武士蓄电池负极板栅及其制作方法,SiC基体电阻率较大,在制备基体时加入基体质量分数25%的Ti,Ti与碳化硅发生反应生成新物相TiSi2,导电相TiSi2的存在降低了材料的电阻率,改善了碳化硅的导电性能;再对SiC?Ti合金基体进行化学刻蚀处理,使之具有孔隙率和比表面积大的特征,可大幅度降低重量,增大比表面积和比能量,且镀层结合力好。
  金武士蓄电池是目前应用广、价格低廉的二次电池。随着铅酸蓄电池的不断发展,对板栅材料的研究与应用也有了新的突破。铅酸蓄电池虽其有许多的优良性能,但其比能量比较低,循环寿命短,成品电池较重,仍然是铅酸蓄电池适应新形势急需解决的问题。分析铅酸电池的组成不难发现,电池比能量低的主要原因是非活性物质铅,主要是铅基合金板栅材料,的用量较大所致,从而增加了铅酸蓄电池的质量。降低非活性铅的用量是提高铅酸蓄电池质量比能量的一种重要手段,为了减轻质量,人们不断地寻找在铅酸蓄电池环境下耐腐蚀、满足强度要求、适于生产加工的轻型板栅基体材料。
  提出了一种重量轻、比表面积大、比能量高且镀层结合力好的铅酸蓄电池负极板栅及其制作方法。
  技术方案是这样实现的:一方面,本发明提供了一种铅酸蓄电池负极板栅,其包括泡沫SiC-Ti合金基体,附着在泡沫SiC-Ti合金基体表面的铜镀层,以及附着在铜镀层表面的铅锡镀层。
  技术方案的基础上,优选的,所述泡沫SiC-Ti合金基体由SiC-Ti合金基体定型后经化学刻蚀处理得到,其中,SiC质量百分含量为75%,Ti质量百分含量25%。
  技术方案的基础上,优选的,所述铜镀层经电镀附着在泡沫SiC-Ti合金基体表面,厚度为0.001?0.1mm。
  技术方案的基础上,优选的,所述铅锡镀层经浸渡附着在铜镀层表面,其中,锡质量百分含量为1%,厚度为0.01?Imm0
  本发明提供了一方面所述的铅酸蓄电池负极板栅的制作方法,包括以下步骤,
  SI,制备SiC-Ti合金基体,定型后进行化学刻蚀处理,得到泡沫SiC-Ti合金基体;
  S2,将刻蚀好的泡沫SiC-Ti合金基体进行铜电镀,形成铜镀层;
  S3,在铜镀层上进行铅锡合金浸渡,形成铅锡合金镀层,得到铅酸蓄电池负极板栅。
  在以上技术方案的基础上,优选的,所述步骤SI中化学刻蚀处理采用酸洗刻蚀,或碱洗刻蚀。
  本发明的铅酸蓄电池负极板栅及其制作方法相对于现有技术具有以下有益效果:
  I)SiC基体电阻率较大,在制备基体时加入基体质量分数25%的Ti,Ti与碳化硅发生反应生成新物相TiSi2,导电相TiSi2的存在降低了材料的电阻率,改善了碳化硅的导电性能;
  (2)再对SiC-Ti合金基体进行化学刻蚀处理,使之具有孔隙率和比表面积大的特征,可大幅度降低重量,增大比表面积和比能量,且镀层结合力好。
  为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
  具体实施方
  下面将结合本发明实施方式中的附图,对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本发明保护的范围。
  铅酸蓄电池负极板栅,其包括泡沫SiC-Ti合金基体1,附着在泡沫SiC-Ti合金基体I表面的铜镀层2,以及附着在铜镀层2表面的铅锡镀层3。
  具体的,泡沫SiC-Ti合金基体I由SiC-Ti合金基体定型后经化学刻蚀处理得到,其中,SiC质量百分含量为75%,Ti质量百分含量25%。
  具体的,所述铜镀层2经电镀附着在泡沫SiC-Ti合金基体I表面,厚度为0.001?0.1mm0
  具体的,所述铅锡镀层3经浸渡附着在铜镀层2表面,其中,锡质量百分含量为1%,厚度为0.01?1mm。
  以下结合具体实施例,详细介绍本发明的铅酸蓄电池负极板栅的制备方法。
  首先,制备SiC-Ti合金基体,在SiC基体制备过程中加入基体质量分数25%的Ti,定型后,进行酸洗刻蚀,得到泡沫SiC-Ti合金基体I;
  其次,将刻蚀好的泡沫SiC-Ti合金基体I外表面热浸镀0.0Olmm铜镀层;

 

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